點(diǎn)狀籽晶法生長KDP晶體的缺陷研究.pdf

1、KDP晶體是一種綜合性能比較優(yōu)良的非線性光學(xué)材料，被廣泛地應(yīng)用于激光變頻、電光調(diào)制和光快速開關(guān)等高科技領(lǐng)域，是人工激光變頻系統(tǒng)的首選材料。隨著KDP晶體的推廣使用，對(duì)KDP晶體的質(zhì)量要求日趨增高。 KDP晶體在生長過程中往往不可避免會(huì)出現(xiàn)生長條紋、位錯(cuò)、散射顆粒等晶體生長缺陷，這在很大程度上限制了KDP晶體的應(yīng)用。于是KDP晶體中的生長缺陷研究成為KDP晶體研究的重點(diǎn)之一。由于KDP晶體中各類缺陷的成因比較復(fù)雜，因此對(duì)它們的形成

2、機(jī)理研究對(duì)改善KDP晶體的質(zhì)量有著很大的意義。通過對(duì)KDP晶體中的位錯(cuò)、散射顆粒等缺陷進(jìn)行檢測并對(duì)位錯(cuò)、散射顆粒等缺陷的形成機(jī)理進(jìn)行探討來改變晶體的生長條件以有效減少KDP晶體中的位錯(cuò)、散射顆粒等缺陷。在以上的思路下，本論文主要采用點(diǎn)狀籽晶法進(jìn)行了KDP晶體生長實(shí)驗(yàn)，在不同pH條件下得到質(zhì)量不同的KDP晶體，觀察到通過改變生長條件可以控制KDP晶體的生長形貌，pH值較低時(shí)晶體柱面無明顯擴(kuò)展，pH值在5左右時(shí)柱面有明顯擴(kuò)展。對(duì)KDP晶體中

3、按位錯(cuò)線走向分類的位錯(cuò)類型進(jìn)行了光學(xué)顯微檢測，將點(diǎn)狀籽晶生長條件下的位錯(cuò)類型與文獻(xiàn)中片狀籽晶生長條件下的位錯(cuò)類型進(jìn)行了對(duì)比，證實(shí)了用點(diǎn)狀籽晶生長KDP晶體比文獻(xiàn)中用片籽晶生長KDP晶體能有效地減少KDP晶體中不同角度的位錯(cuò)。利用光學(xué)顯微鏡和吊瓶設(shè)計(jì)了觀察KDP晶體在螺型位錯(cuò)生長機(jī)制下的生長臺(tái)階運(yùn)動(dòng)，對(duì)螺型位錯(cuò)生長機(jī)制進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)說明，驗(yàn)證了低過飽和度下KDP晶體的生長機(jī)制。并利用超顯微方法對(duì)不同生長條件下得到的KDP晶體中的散射顆粒進(jìn)行了