微構(gòu)造硅表面金屬薄膜的光吸收性質(zhì)研究.pdf

1、在一定氣體氛圍內(nèi)用超短激光脈沖照射硅表面,可在硅表面產(chǎn)生準(zhǔn)規(guī)則排列的微米量級(jí)尖峰結(jié)構(gòu),形成具有強(qiáng)吸收的表面微構(gòu)造硅。研究表明用飛秒激光脈沖刻蝕硅表面所形成的微結(jié)構(gòu)與激光脈沖數(shù)、通量、偏振特性,背景氣體種類(lèi)、氣壓等有關(guān),從而獲得了控制表面形態(tài)的基本實(shí)驗(yàn)參數(shù)和規(guī)律。觀察了不同背景氣體環(huán)境下刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的等離子圖譜,發(fā)現(xiàn)等離子光譜依賴于刻蝕過(guò)程中的背景氣體種類(lèi)和氣壓,在SF6背景氣體中得到的等離子譜最強(qiáng),并且開(kāi)始時(shí)其強(qiáng)度隨著氣壓的增加而增加

2、,直到70 kPa時(shí)達(dá)到最強(qiáng),然后隨壓強(qiáng)的增加而減弱。同時(shí),等離子光譜的信號(hào)提供了刻蝕反應(yīng)的信息,通過(guò)對(duì)光譜的分析,探討了不同背景氣體條件對(duì)刻蝕過(guò)程以及硅表面微結(jié)構(gòu)的影響,得到了最佳的刻蝕背景氣體條件。
　　 研究了微構(gòu)造硅及其表面金屬薄膜的從近紫外到中紅外(0.3-16.7μm)的吸收特性,實(shí)驗(yàn)表明其具有寬波段的增強(qiáng)光吸收,對(duì)背景氣體、表面形貌和薄膜厚度對(duì)光吸收的影響進(jìn)行了探討。在SF6和N2中制備的微構(gòu)造硅表面形貌有很大差異