4多線鋸機理和模型

1、多線鋸機理和模型1. 介紹參“晶體硅切片1”2. 多線鋸技術(shù)參“晶體硅切片2 ”3. 基本機理參“晶體硅切片3”3.1微壓痕實驗同上3.2定量模型scratch-indenting以及l(fā)apping of glass過程還不能直接應(yīng)用于線鋸 模型，而由于對過程的一些細節(jié)還不是很清楚，還不能用滾動壓痕模 式建立唯一的模型，需進一步研究。圖7滾動壓痕模式的示意圖。可以分為兩種方式，粒子和晶體表 面的斷裂機理和在鋼線和工件間動力的砂漿中研磨粒

2、子的動力學(xué)機 理。兩者結(jié)合成完整的模型，首先分析第一種方式，這是通過大量實 驗證明的。3.3單個粒子作用以及斷裂機理砂漿中的研墨粒子，在砂漿和運動線（速度v）相互作用的工作區(qū) 域間進行滾動切割，粒子運動的驅(qū)動力主要來自于兩方面：隨線運動 的砂漿流中的切向力和液壓，以及粒子直接與鋼線接觸的法向力。研墨過程實際上是在表面的法向力FN作用下，粒子在表面上形 成凹痕的過程。對于脆性材料，塑性區(qū)域和法向力作用下不同的裂紋 系統(tǒng)的形成跟硬度H和斷裂

3、韌性KIC有關(guān)，根據(jù)標準的刻痕方法，得 到關(guān)系式：昌“?土 “ 土（1a，b）c為縱向和橫向裂紋長度的半長，a為塑性區(qū)域塑印的對角線長 （圖5, 6）。a和。由壓痕的幾何形狀，剩余應(yīng)力以及其他一些因素決 定。對于維式壓頭，參數(shù)a=2 a=2，knoop壓頭，a=W4 a=W4，而最匹配的P值 =1/7在不同的資料中變化較大。室溫下單晶硅硬度H=10.6-10.9GPa， 在{111}{110}{100}面上分別為 KIC=0.82,