模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)本頁是..最新發(fā)布的《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)》的具體..文章，感覺很有用處，看完假如覺得有關(guān)心請記得保藏本頁。 篇一：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)第一章 晶體二極管及應(yīng)用電路 一、半導(dǎo)體學(xué)問 1．本征半導(dǎo)體 ·單質(zhì)半導(dǎo)體材料是具有 4 價(jià)共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅（Si）和鍺（Ge） （圖 1-2） 。前者是制造半導(dǎo)體 IC 的材料（三五價(jià)化合物**化鎵 GaAs 是微波毫米波半導(dǎo)體器件和 IC的重要

2、材料） 。 ·純潔（純度 7N）且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在肯定的溫度下，本征半導(dǎo)體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)（又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生） （圖 1-3） 。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子——自由電子和空穴對。溫度越高，本征激發(fā)越強(qiáng)。 ·空穴是半導(dǎo)體中的一種等效?q 載流子?？昭▽?dǎo)電的本質(zhì)是價(jià)電子依次填補(bǔ)本征晶格中的空位，使局部顯示?q 電荷的空位宏觀定向運(yùn)動(dòng)（圖 1-4） 。 ·在肯定的

3、溫度下，自由電子與空穴在熱運(yùn)動(dòng)中相遇，使一對自由電子和空穴消逝的現(xiàn)象稱為載流子復(fù)合。復(fù)合會(huì)形成一個(gè)特別的薄層——PN 結(jié)（圖 1-8） 。·PN 結(jié)是非中性區(qū)（稱空間電荷區(qū)） ，存在由 N 區(qū)指向 P 區(qū)的內(nèi)建電場和內(nèi)建電壓；PN 結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠(yuǎn)少于結(jié)外的中性區(qū)（稱耗盡層） ；PN 結(jié)內(nèi)的電場是阻擋結(jié)外兩區(qū)的 1 多子越結(jié)集中的（稱勢壘層或阻擋層） 。 ·正偏 PN 結(jié)（P 區(qū)外接高于 N 區(qū)的電壓）有隨正偏電壓指數(shù)

4、增大的電流；反偏 PN 結(jié)（P 區(qū)外接低于 N 區(qū)的電壓） ，在使 PN 結(jié)擊穿前，只有其值很小的反向飽和電流 IS。即PN 結(jié)有單向?qū)щ娞匦裕ㄕ珜?dǎo)通，反偏截止） 。 v/V ?1)，其中，在 T=300K 時(shí)，熱電壓 VT?26mV。·PN 結(jié)的伏安方程為：i?IS(e T ?? ·非對稱 PN 結(jié)有 PN 結(jié)（P 區(qū)高摻雜）和 PN 結(jié)（N 區(qū)高摻雜） ，PN 結(jié)主要向低.寫作 摻雜區(qū)域延長（圖 1-9） 。