石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器

1、石英晶體諧振器一、術(shù)語解釋1、標稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標識在產(chǎn)品外殼上。2、工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。3、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度（252℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。4、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度（252℃）時工作頻率的允許偏差。5、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。6、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接

2、的電容，也叫并電容，通常用C0表示。7、負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。8、負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的

3、一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。9、動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。10、負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1C0CL）211、激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等12、基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。“信號源電平表“功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成Ri

4、、R0：儀器內(nèi)阻：一般為50ΩR1濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應(yīng)按上圖連接。3、工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計的。4、負載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶體

5、頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1[2（C0CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時，相對頻率牽引為DL1，L2=C1（CL1－CL2）[2（C0CL1）（C0CL2）]。5、負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負載電容的地方，

6、其負載電容值應(yīng)從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。6、激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩(wěn)定。7、濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)