化合物射頻半導體

1、?化合物射化合物射頻半導體：百體：百億美元空美元空間、持、持續(xù)穩(wěn)續(xù)穩(wěn)健成健成長。2015年全球射頻功率放大器市場規(guī)模84.5億美元，化合物射頻半導體占比高達95.33%。預計2020年市場總量增至114.16億美元，2014至2020年復合增長率7.51%。砷化鎵器件應用于消費電子射頻功放，是3G4G通訊應用的主力，物聯(lián)網(wǎng)將是其未來應用的藍海；氮化鎵器件則以高性能特點目前廣泛應用于基站、雷達、電子戰(zhàn)等軍工領域，利潤率高且戰(zhàn)略位置顯著，由

2、于更加適用于5G，氮化鎵有望在5G市場迎來爆發(fā)，而砷化鎵則是5G功放的另一種備選。?寡頭壟頭壟斷競爭，市爭，市場格局格局漸變漸變。全球化合物射頻芯片設計呈現(xiàn)IDM三寡頭格局，2015年IDM廠商Skywks、Qvo、Avago在砷化鎵領域分別占據(jù)32.3%、25.5%、7.8%市場份額；產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢，設計公司去晶圓化及IDM產(chǎn)能外包成必然趨勢，未來行業(yè)整合仍將持續(xù)；化合物半導體代工市場將加速成長，預計2018年擴張至百億人民

3、幣規(guī)模。?四大四大邏輯邏輯看好國內(nèi)化合物射看好國內(nèi)化合物射頻半導體行體行業(yè)發(fā)業(yè)發(fā)展前景：第一，國家意志及內(nèi)展前景：第一，國家意志及內(nèi)需支持本土化合物射需支持本土化合物射頻集成集成電路發(fā)展。展。射頻芯片大陸需求端市場全備，高端軍用供給受國外“芯片禁運”遏喉，本土化迫在眉睫。第二，第二，IC國產(chǎn)化趨勢趨勢明朗，明朗，優(yōu)秀設計設計公司不斷涌公司不斷涌現(xiàn)。受益于產(chǎn)業(yè)發(fā)展和人才回流，大陸化合物射頻廠商2G領域出貨量已遠超國外IDM大廠，合計市場份

4、額占比超過75%；3G4G領域技術突破在即，國產(chǎn)化替代加速。第三，第三，設計設計推動產(chǎn)業(yè)發(fā)動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，化合物半展，化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)。未來大陸有望打造“設計（信維通信、長盈精密、唯捷創(chuàng)芯、銳迪科、漢天下、國民飛驤、中普微電子、慧智微）晶圓代工（三安光電、海特高新）封裝測試（長電科技晶方科技華天科技大港股份）”PA類IDM全產(chǎn)業(yè)鏈。第四，四，“大基金大基金”注資支持，大支持，大陸化合物晶化合物晶圓代工代工龍頭龍頭“呼之欲出呼之欲

5、出”。三安光電融資投產(chǎn)砷化鎵氮化鎵器件產(chǎn)線項目，深度布局化合物半導體代工市場。產(chǎn)業(yè)總體趨勢性向亞洲轉移，大陸產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)，代工環(huán)節(jié)極有希望由三安光電填補空白。半導體項目獲國家層面支持，大基金48億元投資成為公司第二大股東，25億美元規(guī)模產(chǎn)業(yè)合作基金、國開行200億信貸額度將助力公司外延爆發(fā)式增長。2019年全部達產(chǎn)后產(chǎn)能可達36萬片（砷化鎵30萬片，氮化鎵6萬片），有望占據(jù)全球27.3%的代工份額。?風險風險因素：因素：下游周期性波動

6、；市場競爭加??；新技術替代。?投資策略策略:設計設計關注并關注并購，制造追蹤，制造追蹤“龍頭龍頭”。（。（1）上游）上游設計領設計領域：重點關注域：重點關注化合物射化合物射頻PA公司被并公司被并購機會。機會。PA設計公司獨立生存的空間逐步縮獨立生存的空間逐步縮小。出于提升性能、降低成本、提升平臺競爭力等因素考慮，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司，具備收購射頻設計公司補全平臺設計鏈的強烈意愿。重點推薦國內(nèi)重點推薦國內(nèi)積極布局射極布局射頻前

7、端的上市公司信前端的上市公司信維通信，并關注通信，并關注長盈精密。盈精密。下游代工下游代工領域：看好域：看好積極布局化合物半極布局化合物半導體代工體代工領域LED龍頭龍頭企業(yè)三安光安光電。公司LED芯片龍頭地位穩(wěn)固，并強勢進軍化合物半導體代工領域，將受益于LED照明市場穩(wěn)定發(fā)展和化合物半導體代工市場爆發(fā)性增長。化合物射化合物射頻器件：自成體系的芯片器件：自成體系的芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)射頻性能性能優(yōu)異的化合物半異的化合物半導體化合物半化合物半導體

8、射體射頻性能性能優(yōu)異。異。硅單晶材料是制作普通集成電路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很難適用于高頻高壓大電流芯片應用。化合物半導體材料因其優(yōu)良的器件特性廣泛適用于射頻器件。常見的化合物半導體包括三五族化合物半導體和四族化合物半導體。其中，砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）作為其中應用領域最廣、產(chǎn)業(yè)化程度最高的三五族化合物材料，具有優(yōu)良的射頻性能，天然具備禁帶寬度寬、截止頻率高、功率密度大等特點，作為射頻功率器件的基礎材料分別主宰主

9、流民用和軍用高性能射頻集成電路市場。工藝獨特，獨特，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈自成體系自成體系化合物半化合物半導體工體工藝獨特，需要獨特，需要專門專門的制造的制造產(chǎn)線產(chǎn)線。普通硅工藝集成電路和砷化鎵氮化鎵等化合物集成電路芯片生產(chǎn)流程大致類似：先將襯底材料純化、拉晶、切片后在某種襯底上形成外延層，由代工廠按照設計公司的設計進行一系列工藝步驟進行電路制造，制成的芯片交由相關廠商進行封裝與測試，最終完成芯片制造。然而由于材料特性、外延方式和制作環(huán)境要求和普