高效率相位調(diào)制器.pdf

1、論文主要涉及用于LINC(Linear Amplification using Nonlinear Components)發(fā)射器的高效率相位調(diào)制器的主要指標的研究和在CMOS65nm工藝下的芯片及版圖設(shè)計。論文中構(gòu)建了包括發(fā)射器所有主要模塊,比如相位調(diào)制器和功率放大器在內(nèi)的系統(tǒng)級仿真模型。利用這一模型,我們得出了相位調(diào)制器特性和整個系統(tǒng)性能之間的關(guān)系。這一關(guān)系隨后被用來從3GPP系統(tǒng)標準中得出相位調(diào)制器的幾個關(guān)鍵設(shè)計指標。接著,論文提出

2、了一種用于信號調(diào)制和發(fā)射器功率控制的嶄新概念,并通過對一些關(guān)鍵參數(shù)的仿真驗證了這一概念的可行性。同時也估測了對基帶輸入信號帶寬的要求。
　　 系統(tǒng)級研究表明這一新的體系結(jié)構(gòu)確實可工作為高效率的LINC發(fā)射器。此外,系統(tǒng)可以容忍一定的由于兩條PA通路電學長度不同所引起的相位誤差。當相位調(diào)制器的輸出功率足夠高時,由于工作在壓縮區(qū)的功率放大器的使用,它們本身的特性就會限制由于幅度失配造成的不利影響。
　　 在電路級,細致的效率

3、分析、性能比較和仿真結(jié)果都指向了使用一種嶄新的采用Class-B輸入的基于開關(guān)跨導型混頻器的相位調(diào)制器這一結(jié)論。仿真結(jié)果表明,該相位調(diào)制器可以在輸出高功率的情況下達到較高的效率。其它參數(shù)例如帶內(nèi)帶外噪聲等同樣也滿足設(shè)計指標。同時論文中也給出了其它相關(guān)電路比如電壓-電流轉(zhuǎn)換器和除2分頻器的仿真結(jié)果。
　　 為了測試高效率相位調(diào)制器以及LINC發(fā)射器的性能,兩種測試芯片已在CMOS65nm下流片完成。最后提出了對將來工作的一些建議。