版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、論文根據(jù)低電源電壓是降低功耗的最有效手段這一原理出發(fā),首先討論了在采用不降低管子閾值的標(biāo)準(zhǔn)工藝時(shí),傳統(tǒng)nMOS電路和ECL電路在低電壓下工作時(shí)遇到的困難,指出這是由于傳統(tǒng)的nMOS電路和ECL電路采用了串聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)造成的,因而在電壓低到一定值后,電路就不能正常工作.進(jìn)而,論文提出了采用并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)來設(shè)計(jì)nMOS和ECL電路的思想,并根據(jù)開關(guān)信號理論,分別為nMOS和ECL電路牧師出了幾種將串聯(lián)開關(guān)轉(zhuǎn)換成并聯(lián)開關(guān)的方法.在此基礎(chǔ)上,論文從
2、開關(guān)級設(shè)計(jì)了采用并聯(lián)開關(guān)技術(shù)的適合于低電壓電源工作的二值和三值nMOS電路和ECL電路.對設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行模擬和測試,獲得的結(jié)果表明,采用并聯(lián)開關(guān)技術(shù)設(shè)計(jì)的電路都具有正確的邏輯功能,其中二值nMOS電路在電源電壓1.0V時(shí),仍能正常工作,三值nMOS電路能在3.3V時(shí)正常工作;而二值ECL電路可工作于電源電壓幅度1.2V以下,三值ECL電路可工作于電源電壓幅度2.0V以下;所有設(shè)計(jì)的電路在低電壓下均有較低的功耗.另外,采用并聯(lián)開關(guān)的ECL
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 1V以下低電壓低功耗帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì).pdf
- 低電壓低功耗CMOS RSSI電路的研究.pdf
- 低電壓低功耗數(shù)字集成電路技術(shù)研究.pdf
- 低電壓低功耗FTFN及其在模擬集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用研究.pdf
- 低電壓低功耗CMOS電流傳送器電路及其應(yīng)用.pdf
- 低電壓低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 應(yīng)用于WSN的低電壓低功耗PGA設(shè)計(jì).pdf
- 低電壓低功耗SIGMA-DELTA調(diào)制器的設(shè)計(jì).pdf
- 低電壓低功耗土壤濕度傳感技術(shù)研究.pdf
- 低電壓低功耗CMOS模擬運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)與研究.pdf
- 低電壓低功耗高精度的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源.pdf
- 低電壓低功耗鑒頻鑒相器與電荷泵的設(shè)計(jì).pdf
- 低壓低功耗集成電路中電壓自舉電路的分析與設(shè)計(jì).pdf
- 連續(xù)小波變換低電壓低功耗開關(guān)電流集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn).pdf
- 低電壓低功耗高穩(wěn)定性CMOS鎖相環(huán)的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 低電壓低功耗滿電源幅度CMOS運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 應(yīng)用于WSN節(jié)點(diǎn)的低電壓低功耗CMOS PGA的設(shè)計(jì).pdf
- 低壓低功耗CMOS基準(zhǔn)源補(bǔ)償策略及電路設(shè)計(jì).pdf
- 基于0.18μmcmos工藝的低電壓、低功耗、超高速集成電路設(shè)計(jì)
- 應(yīng)用于WSN節(jié)點(diǎn)的低電壓低功耗濾波器的設(shè)計(jì).pdf
評論
0/150
提交評論