褪黑素對(duì)腦缺血再灌注后腦組織中Nox2和Nox4表達(dá)影響的實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、目的:迅速溶栓復(fù)流治療是缺血性腦卒中急性期治療成功的前提和基礎(chǔ),但是該過(guò)程引起的氧化應(yīng)激是導(dǎo)致腦組織二次傷害即缺血/再灌注(I/R)損傷的重要因素。而NADPH氧化酶,尤其是其中的Nox2和Nox4在I/R引起的氧化應(yīng)激中發(fā)揮著重要作用。褪黑素是迄今為止最強(qiáng)的內(nèi)源性自由基清除劑,且有文獻(xiàn)報(bào)道表明褪黑素可以抑制腦缺血再灌注引起的腦損傷,但是其作用機(jī)制尚不明確。我們擬利用本研究探討在缺血再灌注條件下,褪黑素發(fā)揮腦保護(hù)作用的具體機(jī)制,明確褪黑

2、素是否通過(guò)調(diào)節(jié)Nox2和Nox4發(fā)揮作用。
　　方法:利用30只雄性Sprague-Dawley(SD)大鼠,將其隨機(jī)分為三組:假手術(shù)組,缺血再灌注組,褪黑素預(yù)處理+缺血再灌注組。利用線栓法制備大鼠大腦中動(dòng)脈栓塞(MCAO)模型(通過(guò)大鼠大腦中動(dòng)脈栓塞后相應(yīng)神經(jīng)功能障礙表現(xiàn)驗(yàn)證模型制備成功)。
　　然后利用熒光分光光度計(jì)檢測(cè)腦組織ROS水平、TUNEL染色檢測(cè)腦組織細(xì)胞凋亡情況、Western blot檢測(cè)Nox2和Nox4

3、蛋白水平、同時(shí)檢測(cè)TUNEL與Nox2、Nox4的免疫熒光共染的細(xì)胞數(shù)目。相應(yīng)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果應(yīng)用SPSS18.0統(tǒng)計(jì)分析軟件,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析。
　　結(jié)果:
　　1)與假手術(shù)組相比,缺血再灌注組ROS水平顯著提高,尤其是在缺血半球尤為顯著,褪黑素預(yù)處理可以顯著抑制缺血再灌注引起的缺血半球以及對(duì)側(cè)半球中ROS水平的上升。
　　2)與假手術(shù)組相比,缺血再灌注組凋亡細(xì)胞顯著增多,尤其是在缺血半球尤為顯著;而褪黑素預(yù)處理可以

4、顯著抑制缺血再灌注引起的缺血半球以及對(duì)側(cè)半球中細(xì)胞的凋亡。
　　3)與假手術(shù)組相比,缺血再灌注組Nox2和 Nox4的蛋白水平顯著上升;而褪黑素預(yù)處理可以顯著抑制缺血再灌注引起的Nox2和 Nox4的蛋白水平上升。提示:褪黑素可能通過(guò)降低Nox2和 Nox4的表達(dá),抑制ROS的產(chǎn)生,進(jìn)而抑制細(xì)胞凋亡。
　　4)免疫熒光共染表明:TUNEL陽(yáng)性細(xì)胞伴隨著Nox2或者Nox4的高表達(dá);褪黑素預(yù)處理顯著降低了Nox2/TUNEL雙