近紫外光LED芯片用熒光粉的制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文制備了幾種適合近紫外光LED芯片激發(fā)的熒光粉。試驗(yàn)了最佳合成條件以及雜質(zhì)的最佳濃度，測試了樣品的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜，研究了樣品的發(fā)光性質(zhì)及其形貌。主要內(nèi)容如下：
　　 (1)利用高溫固相法合成了紅色熒光粉Sr2SiO4：Sm3+。樣品具有3組發(fā)射峰，主峰值分別位于570nm，606nm和653nm，其中最強(qiáng)峰位于606nm。激發(fā)光譜為從350到420nm的寬帶，可以被近紫外光和紫光有效激發(fā)。當(dāng)Sm3+濃度為6％，電荷補(bǔ)償劑為

2、Cl—時(shí)，樣品的發(fā)光強(qiáng)度最大。
　　 (2)利用燃燒法制備了紅色熒光粉SrIn2O4：Eu3+。樣品的最強(qiáng)發(fā)射峰位于613nm，對(duì)應(yīng)于Eu3+的5D0→7F2躍遷。隨著激活劑Eu3+濃度的增加，樣品的發(fā)光強(qiáng)度逐漸增大．樣品的主激發(fā)峰位于397和469nm，分別與紫外光和藍(lán)光LED的輻射相符合。它由許多微小的晶粒組成，晶粒的平均直徑小于500nm。
　　 (3)利用凝膠燃燒法合成了綠色熒光粉Ca2SiO4：Eu2+。樣品呈

3、現(xiàn)出峰值位于501nm的寬帶發(fā)光，它可以被350—400nm的UVLED芯片有效激發(fā)，并且制備溫度較低(1000℃)，顆粒平均尺寸較小(小于1μm)。Eu2+的最佳濃度為3％。
　　 (4)利用高溫固相法合成了藍(lán)色熒光粉Sr5SiO4Cl6：Eu2+。樣品的激發(fā)峰值位于360nm，適合UVLED芯片的激發(fā)。樣品在360nm的紫外光激發(fā)下呈寬帶發(fā)射，峰值位于454nm，屬于Eu2+的4f5d→4f7能級(jí)躍遷。樣品的最佳制備溫度為7

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