InGaAs-APD特性研究及1310nm單光子探測.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文對紅外單光子探測進行了研究.針對量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)的要求,該文首先對現(xiàn)有的各種單光子探測器進行了介紹,分析了它們各自的優(yōu)缺點.其次,主要對量子通信用單光子探測器的核心器件--InGaAs雪崩光電二極管(InGaAs-APD)的暗電流特性、光電流、溫度特性、雪崩特性等進行了研究,同時把飛通公司、OKI公司、PerkinElmer公司的APD進行了比較,分別得出了它們的特性參數(shù),為研制實用的紅外單光子探測器提供了重要的依據(jù).研究表明,不同

2、公司的APD特性有著明顯的差異,即使同一公司同一型號的APD的特性參數(shù)也不盡相同.溫度對APD的特性有著很重要的影響.其次,我們用半導(dǎo)體制冷片設(shè)計了雪崩光電二極管的制冷器,并利用自然冷卻的方式進行散熱,為單光子探測器實用化提供了方便.最后我們初步設(shè)計出了1310nm的可門控單光子探測器,同時分別用無源抑制方式和門控方式進行了單光子探測.該文的研究表明,溫度對單光子探測有著非常重要的影響,考慮到后脈沖的影響以及雪崩電壓的變化,溫度并不是越

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