具有檢錯(cuò)糾錯(cuò)功能的EMCIP核開發(fā).pdf_第1頁
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1、在現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,對(duì)存儲(chǔ)器的訪問大多都通過存儲(chǔ)器控制器來進(jìn)行,而在對(duì)外部存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問的時(shí)候,由于存儲(chǔ)器本身的問題或者空間高能粒子的沖擊,會(huì)使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器里的數(shù)據(jù)值發(fā)生翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致讀取數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤,這種錯(cuò)誤若不及時(shí)糾正將會(huì)影響計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的運(yùn)行和關(guān)鍵數(shù)據(jù)的處理,所以如何實(shí)現(xiàn)一種具有檢錯(cuò)糾錯(cuò)(EDAC)功能的外部存儲(chǔ)器控制器(EMC)具有重要的理論意義和實(shí)用價(jià)值。
  本文對(duì)存儲(chǔ)器技術(shù)、存儲(chǔ)器、糾錯(cuò)編碼以及存儲(chǔ)器控制器技術(shù)進(jìn)行了深

2、入研究,主要包括:高性能系統(tǒng)中常用的幾種存儲(chǔ)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、編址方式、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式、時(shí)序控制方式等,這些存儲(chǔ)器主要有異步SRAM存儲(chǔ)器和各種動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器;檢錯(cuò)糾錯(cuò)的原理,一些經(jīng)常用到的糾錯(cuò)碼以及本文所采用的最佳奇權(quán)碼,并對(duì)其糾錯(cuò)效率作了分析;對(duì)本文采用的存儲(chǔ)器控制器作了分析并提出了符合該存儲(chǔ)器控制器時(shí)序規(guī)范的兩種EDAC結(jié)構(gòu),分別對(duì)32位SRAM和SDRAM進(jìn)行保護(hù)。其中針對(duì)SRAM的EDAC支持32位,16位和8位數(shù)據(jù)的讀寫操作;針對(duì)SD

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