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1、IC工藝向22nm及更小尺寸發(fā)展,造成功耗和電流密度增大、電壓降低,使得電源噪聲預(yù)算進(jìn)一步降低。另外,IC中集成的晶體管數(shù)量增加、數(shù)據(jù)傳輸速率提高,造成同時(shí)開關(guān)電流的幅值增大、出現(xiàn)頻率提高,使得電源噪聲越來越大。降低的噪聲預(yù)算和增大的電源噪聲,使電源分配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)要求更為苛刻。為了給高速數(shù)字系統(tǒng)提供低噪聲電源,必須設(shè)計(jì)性能優(yōu)越的去耦網(wǎng)絡(luò)。電容器及其焊盤設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是構(gòu)成去耦網(wǎng)絡(luò)的主體,現(xiàn)有的建模方法不足以提供精確模型,必須研究電容器及焊盤設(shè)
2、計(jì)結(jié)構(gòu),提出精確的建模方法,以提高仿真精確度。
本文提出了一種貼片電容器的精確建模方法,利用測(cè)量得到的散射參數(shù)和矢量擬合法建立電容器阻抗的高階模型。另外,對(duì)現(xiàn)在流行的一種焊盤設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)(過孔打在焊盤上),本文使用電磁場(chǎng)仿真軟件Q3D對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真,提取低頻安裝電感并分析電感和各結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系,得到低頻安裝電感的精確模型。
實(shí)驗(yàn)證明,電容器模型得到的阻抗與廠商提供的阻抗的相對(duì)誤差小于5%。低頻安裝電感模型得到的電感與電
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