深構槽型功率MOS器件的研究.pdf

1、功率MOS器件是一種重要的半導體功率器件。與雙極型功率器件相對簡單的制作工藝相比，功率MOS器件的制作工藝已進入了亞微米水平，新結構和新工藝不斷出現(xiàn)。本文研究一種深溝槽結構的新型功率MOS器件的制作工藝、結構及其與器件電學特性的關系?！　”疚耐ㄟ^與傳統(tǒng)平面型、V形、U形等功率MOS器件結構的對比，分析了深溝槽型功率MOS器件的獨特優(yōu)點。通過對深溝槽型MOS器件的結構、制作工藝的細致研究，開發(fā)成功一套可以滿足設計要求的應用于8英寸生產線

2、的深溝槽型功率MOS器件的制作工藝，該工藝與當前的亞微米CMOS工藝基本兼容。通過大量實驗數據比較分析，研究了深溝槽型功率MOS器件的主要電特性參數(如漏源擊穿電壓BVdss和導通電阻Rdson)與器件結構參數(如溝槽深度)間的依賴關系?！　♂槍ζ骷叽邕M一步縮小和器件頻率特性進一步提高需求，本論文提出一種新型的突起型多晶硅柵結構。通過對兩種突起型多晶硅柵工藝的對比，發(fā)明并成功制作出利用硬掩膜方式實現(xiàn)的突起型多晶硅柵結構。另外，針對功