功率器件中的MOS電容非線性研究.pdf

1、功率MOSFET由于其耐壓高電流大,開關速度快,安全工作區(qū)穩(wěn)定,電壓驅動等特點,在開關電源、電機驅動、工業(yè)控制、汽車電子、日常照明、家用電器等領域得到了廣泛應用。在功率MOSFET的設計中,MOS電容帶來的非線性問題一直是研究的重點和難點。本文從器件結構和工藝參數的角度,對標準MOS管和功率器件的MOS電容的非線性進行了分析研究。 本文首先介紹了MOS結構的電容非線性機理,理想的MOS結構電容C-V特性,以及實際應用中MOS結構

2、電容C-V特性。然后,比較了MOS結構的電容和標準MOS管電容在特性方面的差異及成因,并借助TCAD模擬軟件,模擬研究了不同的結構和工藝參數對標準MOS管電容非線性的影響,研究了MOS管的兩種電容線性化方法及其在壓控振蕩器中的應用。在MOS管電容的研究基礎上,分別模擬研究了不同結構和工藝參數對功率器件LDMOS和VDMOS的電容非線性的影響,包括漂移區(qū)注入劑量、場氧厚度、柵氧厚度、溝道注入劑量對LDMOS的柵漏電容非線性的影響,以及外延