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文檔簡介
1、基于硅材料壓阻效應的微機電系統(tǒng)器件研究已經有幾十年的歷史,并被廣泛地應用。但是硅壓阻效應的靈敏度遠不能滿足在地震波檢測、導航制導、平臺穩(wěn)定方面等高精度、高靈敏傳感場合的要求。本文設計了以GaAs材料的高電子遷移率晶體管HEMT作為敏感單元的十字梁壓阻式懸臂梁-質量塊結構,具有靈敏度高、阻值可調等優(yōu)點。
本文在壓阻效應理論基礎上,設計并生長了+n-AlGaAs/i-AlGaAs/i-InGaAs/i-GaAs HEMT結構;并對
2、懸臂梁-質量塊結構進行了力學參數分析及ANSYS仿真分析。本懸臂梁-質量塊結構加工采用了表面加工與體加工相結合的工藝,如雙凹槽工藝、空氣橋工藝和控制孔工藝等。最后根據實驗結果對原有結構進行了優(yōu)化改進。
在實驗設計方面,本論文在分析力敏特性的基礎上進行了HEMT參數特性實驗、柵槽深度實驗、壓阻系數實驗和溫度實驗。測試結果表明:GaAs HEMT不同偏壓下壓阻系數不同,且飽和區(qū)的變化比線性區(qū)明顯,最大壓阻系數比 SI高出三個數量級
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