RF MEMS開(kāi)關(guān)可靠性研究.pdf

1、RF MEMS開(kāi)關(guān)由于其優(yōu)異的隔離度和插入損耗，良好的線性度，在無(wú)線通訊、相控雷達(dá)方面有著廣泛的應(yīng)用。RF MEMS開(kāi)關(guān)的可靠性是產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵，本文針對(duì)直接接觸式和電容式兩種開(kāi)關(guān)的可靠性進(jìn)行分析研究，為RF MEMS器件更進(jìn)一步的發(fā)展提供技術(shù)的儲(chǔ)備。
　　在分析直接接觸式開(kāi)關(guān)的電磁模型與機(jī)械模型的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)研究了影響接觸式開(kāi)關(guān)可靠性的接觸電阻及功率等因素，通過(guò) Intellisuite軟件分析了結(jié)構(gòu)尺寸的變化對(duì) MEMS開(kāi)關(guān)吸合

2、電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、回復(fù)力和接觸力的影響。針對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓較高的問(wèn)題，提出通過(guò)改變梁的上下層 Si3N4厚度，減小上翹彎曲角的方法降低驅(qū)動(dòng)電壓，此方法不需要改變開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，在有效降低驅(qū)動(dòng)電壓的同時(shí)開(kāi)關(guān)的接觸力與回復(fù)力下降較少，開(kāi)關(guān)具有良好的抗粘附能力，仿真結(jié)果表明可有效提高開(kāi)關(guān)可靠性。
　　在分析、研究RF MEMS電容式開(kāi)關(guān)可靠性失效機(jī)理的基礎(chǔ)上，建立、分析了充電實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ?，根?jù)RF MEMS開(kāi)關(guān)的SEM數(shù)據(jù)，對(duì)開(kāi)關(guān)的失效進(jìn)行了分類(lèi)，給出了