基于憶阻器的混沌建模研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、憶阻器是由美籍華裔科學家蔡少棠教授在1971年提出的“第四個基本電路元件”。該理論模型經過四十多年的研究,直到2008年才由惠普實驗室發(fā)現(xiàn)其原型器件,這一具有里程碑意義的發(fā)現(xiàn)刊登在2008年的自然(Nature)雜志,點燃了國內外學者研究憶阻器的熱潮。
  憶阻器是由電量和磁通量定義的非線性電路元件,其具有的記憶屬性和納米尺度屬性使它在神經網絡和計算機存儲當中具有潛在應用。憶阻器還具有豐富獨特的復雜非線性特性,由憶阻器構成的電路系

2、統(tǒng)能夠表現(xiàn)出特殊的非線性動力學行為,例如混沌效應等。而混沌是一種復雜的動力學行為,它擁有一些特殊的屬性,例如,對系統(tǒng)參數(shù)和初始條件敏感,系統(tǒng)軌線在相空間有限域內收斂等?;煦缤ǔ_€伴隨著其他復雜的動力學現(xiàn)象比如分形和分岔。這些有趣的動力學現(xiàn)象被應用于機電、生態(tài)、航空和經濟等領域。
  據(jù)此,本文根據(jù)憶阻器的性質和混沌建模方法,深入研究基于憶阻器的非線性電路與系統(tǒng)模型及其混沌特性。其主要工作包括:
  1)時滯型憶阻器電路的混沌

3、建模研究
  根據(jù)電路理論設計出一類帶時滯的新型憶阻器電路,通過其數(shù)學模型的分析,計算仿真相軌圖、李雅普諾夫指數(shù)與李雅普諾夫指數(shù)譜、平衡點集與分岔圖等動
  力學行為,嘗試性研究憶阻器及其電路的時滯效應。
  2)憶阻器的模擬電路模型研究
  根據(jù)憶阻器的性質,設計模擬憶阻器行為的電路模型?;谠撃M電路,設計混沌電路來測試,通過數(shù)值仿真方法研究該混沌電路的混沌吸引子、李雅普諾夫指數(shù)譜和分岔圖,驗證了電路模型模擬

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