基于SiP技術(shù)的X波段T-R組件研制.pdf

1、相控陣?yán)走_(dá)在實際應(yīng)用中眾多優(yōu)點使它成為現(xiàn)代雷達(dá)重要發(fā)展方向，各個國家都在大力發(fā)展相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)。T/R組件是有源相控陣?yán)走_(dá)的核心部分，由于每個相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中都有數(shù)量眾多的T/R組件，因此T/R組件的性能往往決定了相控陣?yán)走_(dá)的性能。通過對T/R組件的小型化、低成本、高可靠性的研究必定會推動整個相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)的發(fā)展。近年來發(fā)展迅速的SiP技術(shù)利用成熟的封裝工藝，可將多個具有不同功能的有源電子器件、多種無源元件、MEMS及光電器件等組裝為不

2、同功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。運用SiP技術(shù)實現(xiàn)混合集成，具有設(shè)計靈活、周期短、成本低的優(yōu)點。因此，開展基于SiP技術(shù)的低成本T/R組件技術(shù)研制契合了有源相控陣?yán)走_(dá)的發(fā)展方向。
　　根據(jù)項目所要求的技術(shù)指標(biāo)，在總體方案設(shè)計的基礎(chǔ)上，對組件所需要的芯片進(jìn)行選擇，并且在選定的芯片下對接收和發(fā)射支路的增益、噪聲系數(shù)等指標(biāo)進(jìn)行估算，并且用ADS軟件進(jìn)行仿真驗證，得出方案的可行性。項目中使用的多層電路基板是由兩種不同的介質(zhì)

3、基板材料和半固化片構(gòu)成的，對于基板材料的介電常數(shù)的可能發(fā)生的變化運用HFSS軟件進(jìn)行仿真，驗證介電常數(shù)的變化對轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)的影響，使用HFSS軟件對于兩種基板材料和半固化片的厚度變化進(jìn)行仿真，驗證厚度變化對轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)傳輸?shù)挠绊?。由于項目中使用的是多層介質(zhì)基板，芯片嵌入需要墊在鉬銅合金上，鉬銅合金可以起到良好的散熱作用，針對鉬銅加工過程中可能出現(xiàn)的尺寸誤差進(jìn)行仿真，驗證鉬銅尺寸變化對于傳輸?shù)挠绊?。根?jù) T/R組件電路實施方案、選擇的芯片進(jìn)行電路