介質(zhì)-金屬-介質(zhì)多層薄膜光電性能改善研究.pdf

1、介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層薄膜(D/M/D)，既具有較好的光學(xué)性能和電學(xué)性能，又能保證制備過(guò)程及工藝的簡(jiǎn)單與環(huán)保，因此可以作為新型透明導(dǎo)電電極，替代目前雖被廣泛應(yīng)用但具有一定毒性且成本較高的ITO膜。但在實(shí)際應(yīng)用中，還需要進(jìn)一步改善介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層復(fù)合膜的光透過(guò)率和導(dǎo)電性能，才能使其得到廣泛應(yīng)用。本文先制備TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜，再采用氬等離子體輻照的方式，來(lái)提高TiO2/Ag/TiO2復(fù)合膜系的光電性能。圍繞該主題，本文主要開(kāi)

2、展以下工作:
　　首先，本文采用真空蒸發(fā)鍍的方法制備納米Ag薄膜，再使用氬等離子體輻照Ag膜。之后測(cè)試氬等離子體輻照對(duì)薄膜表面形貌、可見(jiàn)光波段吸收譜及薄層電阻的影響。結(jié)果表明氬等離子體輻照可以明顯提高納米Ag薄膜的導(dǎo)電性，甚至使原來(lái)不導(dǎo)電的納米Ag薄膜具有導(dǎo)電性。同時(shí)，氬等離子輻照還可以在一定程度上提高Ag膜的光透過(guò)率。氬等離子體輻照提高Ag膜的光電性能之后，Ag膜更適合作為T(mén)iO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜的中間膜層。
　　

3、然后，利用真空蒸發(fā)鍍膜沉積TiO2/Ag/TiO2復(fù)合薄膜，通過(guò)控制Ag和TiO2的膜層厚度制備出具有高導(dǎo)電性和高透過(guò)率的透明導(dǎo)電薄膜。并使用氬等離子體輻照TiO2/Ag/TiO2薄膜中的Ag膜層，進(jìn)一步提高TiO2/Ag/TiO2薄膜的光透過(guò)率及導(dǎo)電性。最后結(jié)合SEM圖像分析了氬等離子體輻照對(duì)此類(lèi)“三明治”結(jié)構(gòu)復(fù)合薄膜光電性能的具體作用和影響。結(jié)果表明采用本文氬等離子體輻照方法處理之后的TiO2/Ag/TiO2復(fù)合膜擁有良好的導(dǎo)電性和