W波段InPHBT單片功率放大器研究.pdf

1、磷化銦雙異質結晶體管（InP DHBT）具有高頻增益高和功率密度大、白噪聲低、線性度好等優(yōu)點，非常適合制作功率放大器，現(xiàn)在已經(jīng)逐步發(fā)展為MMIC領域中一個非常有競爭力的技術。InP DHBT在毫米波甚至太赫茲的優(yōu)勢，使得基于此實現(xiàn)的單片功率放大器，對于將功率放大器推向更高頻段非常有意義。本文研究基于InP DHBT工藝完成了如下工作：
　　1、簡述了InP DHBT的器件特性，包括它的器件結構、工作機理和高頻性能，分析了InP D

2、HBT器件研究的關鍵問題。此外，針對常用的SiGe HBT等效電路模型中的VBIC模型在某些方面上不能較好地模擬InP DHBT特點的問題，本文采用Agilent HBT模型及建模方法對器件建模進行了研究。通過對集電極渡越時間的改進，增加了高頻條件下模型的準確性，該模型在TMIC功率放大器和W波段單片VCO（Voltage Controlled Oscillator）設計中已經(jīng)得到驗證。
　　2、以提取的InP DHBT等效電路模

3、型為基礎，設計了一款W波段單片功率放大器。仿真結果表明：該功率放大器的中心頻率為94GHz，10dB帶寬為24GHz，在94GHz時飽和輸出功率大于18dBm，功率增益大于10dB。流片后對功率放大器進行了在片測試，測試結果表明，在75~87GHz頻段內小信號增益大于10dB，輸出功率大于13dBm，其中82GHz時實現(xiàn)最大輸出功率15.6dBm。通過對監(jiān)測晶體管的測試和模型版的重新提參建模，可以確定頻率偏移來自設計中使用的HBT模型。