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文檔簡介
1、174Hf具有較大的中子吸收截面,可在反應堆中作為熱中子監(jiān)測核素使用,這一功能的實現(xiàn)需要準確的175Hf半衰期數(shù)據(jù)。截至目前,公開發(fā)表的半衰期數(shù)據(jù)僅有四個,數(shù)據(jù)間分歧較大不利于核參數(shù)的準確使用,需要進一步的測量解決這一數(shù)據(jù)分歧。
本文首先采用熱中子輻照的Hf放射源對177Lu在不同死時間下的計數(shù)率進行測量,得出一個計數(shù)率丟失因子f隨死時間變化的一般關系式f(t)=0.042t+0.996(t表示死時間)。對181Hf在不同死時
2、間下進行半衰期跟蹤測量發(fā)現(xiàn),逐漸增加數(shù)據(jù)點進行線性擬合得到的半衰期值在出現(xiàn)一極大值后會逐漸減小。將放射性 Hf視為含有高能γ射線的長壽命干擾核素并與177Lu一起進行半衰期跟蹤測量。擬合得到的181Hf半衰期測量結果有逐漸減小趨勢。而177Lu半衰期結果為6.71d,高于推薦值和大多數(shù)測量結果,并且逐點增加處理的半衰期值有穩(wěn)定增大趨勢。
分別使用陰離子樹脂與HDEHP樹脂對于含有雜質的175Hf源的放化分離,結果顯示HDEHP
3、樹脂能夠進行175Hf放射源的純化。并對制得的含有65Zn、56Co以及少量52Mn、48Sc、156Tb雜質的175Hf液體源在不同的酸性條件下使用HDEHP離子交換樹脂進行了分離純化。對65Zn與56Co的去污因子分別達到了5200與2360,分離得到的175Hf產(chǎn)品中僅含小于天然本底量級的65Zn,γ能譜中幾乎無可見的其他核素能峰,通過實驗制得了放射性純的175Hf。
最終使用井型HPGe在較小死時間下(<1%),對全譜
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