新型晶體生長裝置與KDP晶體快速生長.pdf

1、KDP(KH2PO4)晶體是應用廣泛的光電功能晶體材料，采用水溶液方法生長具有優(yōu)良的光電、非線性和壓電性能，其特點是大尺寸的單晶生長比較容易、晶體光學質(zhì)量好、激光損傷閾值高，因而在激光技術中被廣泛用于制作倍頻、調(diào)制開關和偏轉(zhuǎn)器等光學元器件，是目前唯一可用在激光受控熱核聚變技術中的非線性光學晶體材料。 溶液法是目前最常用的生長KDP晶體的方法，溶液的穩(wěn)定性不僅是影響晶體光學質(zhì)量的一個重要因素，而且KDP晶體中的生長條紋、包裹體、位

2、錯等缺陷的形成都與其生長過程中溶液的穩(wěn)定性有關。因而在KDP晶體快速生長的過程中遇到的最大問題是如何防止自發(fā)成核和保證晶體的完美生長。 本論文采用水溶液降溫法，在錐形底生長裝置中進行點狀籽晶法快速生長KDP晶體的實驗，對KDP晶體生長過程中溶液的穩(wěn)定性進行分析研究，并使用光學顯微鏡、掃描電鏡、等離子光譜等分析晶體的位錯、包裹體、透過率等缺陷、性能與生長工藝的關系，為進一步改進晶體生長工藝及進行KDP晶體的快速生長的研究提供基礎。