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    • 簡介:TESTTESTTESTTESTOFOFOFOFFUNDAMENTALSFUNDAMENTALSFUNDAMENTALSFUNDAMENTALSOFOFOFOFMATERIALSMATERIALSMATERIALSMATERIALSSCIENCESCIENCESCIENCESCIENCE材料科學(xué)基礎(chǔ)試題庫一、填空題一、填空題0001燒結(jié)過程的主要傳質(zhì)機(jī)制有_____、_____、_____、_____,當(dāng)燒結(jié)分別進(jìn)行四種傳質(zhì)時(shí),頸部增長XR與時(shí)間T的關(guān)系分別是_____、_____、_____、_____。0002晶體的對稱要素中點(diǎn)對稱要素種類有_____、_____、_____、_____,含有平移操作的對稱要素種類有_____、_____。0003晶族、晶系、對稱型、結(jié)晶學(xué)單形、幾何單形、布拉菲格子、空間群的數(shù)目分別是_____、_____、_____、_____、_____、_____。0004晶體有兩種理想形態(tài),分別是_____和_____。0005晶體是指內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的固體。0006以NACL晶胞中(001)面心的一個(gè)球(CL離子)為例,屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為,所以屬于這個(gè)球的四面體空隙數(shù)為。0007與非晶體比較晶體具有自限性、、、、和穩(wěn)定性。0008一個(gè)立方晶系晶胞中,一晶面在晶軸X、Y、Z上的截距分別為2A、12A、23A,其晶面的晶面指數(shù)是。0009固體表面粗糙度直接影響液固濕潤性,當(dāng)真實(shí)接觸角Θ時(shí),粗糙度越大,表面接觸角,就越容易濕潤;當(dāng)Θ,則粗糙度,越不利于濕潤。0010硼酸鹽玻璃中,隨著NA2O(R2O)含量的增加,橋氧數(shù),熱膨脹系數(shù)逐漸下降。當(dāng)NA2O含量達(dá)到1516時(shí),橋氧又開始,熱膨脹系數(shù)重新上升,這種反?,F(xiàn)象就是硼反?,F(xiàn)象。0011晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共分、和三種,CACL2中CA2進(jìn)入到KCL間隙中而形成點(diǎn)缺陷的反應(yīng)式為。0012固體質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的推動力是________。0013本征擴(kuò)散是指__________,其擴(kuò)散系數(shù)D=_________其擴(kuò)散活化能由________和_________組成。0014析晶過程分兩個(gè)階段,先______后______。0015晶體產(chǎn)生FRANKEL缺陷時(shí),晶體體積_________,晶體密度_________;而有SCHTTY缺陷時(shí),晶體體積_________晶體密度_________。一般說離子晶體中正、負(fù)離子半徑相差不大時(shí),_________是主要的;兩種離子半徑相差大時(shí),_________是主要的。0016少量CACL2在KCL中形成固溶體后,實(shí)測密度值隨CA2離子數(shù)K+離子數(shù)比值增加而減少,由此可判斷其缺陷反應(yīng)式為_________。0017TG是_________它與玻璃形成過程的冷卻速率有關(guān),同組分熔體快冷時(shí)TG比慢冷時(shí)_________淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_________熱膨脹系數(shù)_________。0018同溫度下,組成分別為102NA2O-08SIO2;201NA2O-01CAO-08SIO2302CAO-08SIO2的三種熔體,其粘度大小的順序?yàn)開________。0019三T圖中三個(gè)T代表__________________和_________。0020粘滯活化能越_________粘度越_________。硅酸鹽熔體或玻璃的電導(dǎo)主要決定于_________。002102NA2O08SIO2組成的熔體,若保持NA2O含量不變,用CAO置換部分SIO2后,電導(dǎo)_________。0022在NA2O-SIO2熔體中加入AL2O3NA2OAL2O31熔體粘度_________。3相均為熱力學(xué)介穩(wěn)相;C有分相勢壘;D分相時(shí)質(zhì)點(diǎn)作負(fù)擴(kuò)散;DB分相區(qū)在液相線下0043液-固相變中的非均勻成核是指_____________形成晶核的過程。它的成核位壘隨接觸角Θ的_______而降低,當(dāng)由0~900時(shí),成核位壘GK與均勻成核位壘GK的關(guān)系為___。0044MGO具有______型結(jié)構(gòu),其對稱型______,空間群______,屬于______晶族和______晶系,正負(fù)離子配位數(shù)為______,單個(gè)晶胞占有正負(fù)離子的數(shù)目為______。0045KCLAGCL和CU2S極化程度的大小順序是___,極化結(jié)果改變配位數(shù)的是___,不極化結(jié)果改變配位數(shù)的是___。0046下列化合物屬于什么結(jié)構(gòu)(1)藍(lán)維礦BATISI3O9______,(2)透輝石CAMGSI2O6______,(3)滑石MG3SI4O10OH2______,(4)石英SIO2______,(5)鎂橄欖石MG2SIO4______0047液相燒結(jié)與固相燒結(jié)相同的是其過程都由____,____,____等三個(gè)階段組成,不同點(diǎn)是____,_____,_____。0048燒結(jié)有______,______,______,______等四種傳質(zhì)方式,產(chǎn)生的原因分別是______,______,______,______。0049在燒結(jié)初期,若XR與T13成正比,其屬于______傳質(zhì)過程,這種燒結(jié)的推動力是______,收縮率為______。0050一種擴(kuò)散過程LND與1T的變化關(guān)系如圖所示,該擴(kuò)散屬于______擴(kuò)散過程,圖中各部分線段的斜率分別是(1)______(2)______(3)______,各部分線段所表示的擴(kuò)散類型是(1)______(2)______(3)______。0051造成二次再結(jié)晶的原因主要是______,及______,其次是______,及______等。0052NACL晶胞中CL離子作最緊密堆積,NA+填充面體空隙的100,以(001)面心的一個(gè)球(CL離子)為例,屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為,所以屬于這個(gè)球的四面體空隙數(shù)為,正負(fù)離子配位數(shù)為_____,配位多面體之間共______連接,單個(gè)晶胞占有正負(fù)離子的數(shù)目為______。0053晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共分、和三種,CAO加入到ZRO2中形成間隙式固溶體的的缺陷反應(yīng)式為,固溶式分子式。形成置換式固溶體的的缺陷反應(yīng)式為,固溶式分子式。填空題填空題答案答案0001蒸發(fā)-冷凝,擴(kuò)散,溶解-沉淀,流動;13,15,16,12。0002對稱面、對稱中心、對稱軸,旋轉(zhuǎn)反伸軸;滑移面、螺旋軸;C、M。00033、7、32、146、47、14、230。0004單形、聚形。0005內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性重復(fù)排列的固體。00061,20007自限性、均一性、異向性、對稱性、最小內(nèi)能。022PTCG
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    • 簡介:430511班材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)復(fù)習(xí)資料僅供參考整理曹永友1材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)FUNDAMENTALSOFMATERIALSSCIENCEENGINEERINGCHAPTERONE引言引言LEARNINGOBJECTIVES1列出決定材料應(yīng)用的六種不同性能列出決定材料應(yīng)用的六種不同性能MECHANICALPROPERTIES力學(xué)性能力學(xué)性能ELECTRICALPROPERTIES電性能電性能THERMALBEHAVI熱性能熱性能MAGICPROPERTIES磁性能磁性能OPTICALPROPERTIES光性能光性能DETERIATIVEACTERISTICS老化特性老化特性2說明涉及材料設(shè)計(jì),生產(chǎn)和利用的四個(gè)因素,并簡要說明它們之間的相互關(guān)說明涉及材料設(shè)計(jì),生產(chǎn)和利用的四個(gè)因素,并簡要說明它們之間的相互關(guān)系PROCESSING加工過程加工過程〉STRUCTURE組織結(jié)構(gòu)組織結(jié)構(gòu)〉PROPERTIES性能(性質(zhì))性能(性質(zhì))〉PERFMANCE使用性能使用性能結(jié)構(gòu)依賴于加工。結(jié)構(gòu)依賴于加工。性質(zhì)決定使用性能。因此它們之間關(guān)系是線性的。性質(zhì)決定使用性能。因此它們之間關(guān)系是線性的。3舉出在材料的甄選過程三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)舉出在材料的甄選過程三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)A考慮材料的使用條件考慮材料的使用條件B考慮材料使用過程的老化考慮材料使用過程的老化C優(yōu)先考慮材料的經(jīng)濟(jì)性優(yōu)先考慮材料的經(jīng)濟(jì)性4A列出三類主要的固體材料,并說明它們化學(xué)特點(diǎn)列出三類主要的固體材料,并說明它們化學(xué)特點(diǎn)METAL金屬金屬具特有光澤而不透明(對可見光強(qiáng)烈反射的結(jié)果)具特有光澤而不透明(對可見光強(qiáng)烈反射的結(jié)果),富有展性、延,富有展性、延性及導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性的這一類物質(zhì)。性及導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性的這一類物質(zhì)。CERAMIC陶瓷陶瓷各種無機(jī)非金屬固體材料各種無機(jī)非金屬固體材料POLYMER聚合物由千百個(gè)原子彼此以共價(jià)鍵結(jié)合形成相對分子質(zhì)量特別大、具聚合物由千百個(gè)原子彼此以共價(jià)鍵結(jié)合形成相對分子質(zhì)量特別大、具有重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的有機(jī)化合物。有重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的有機(jī)化合物。B寫出其他三種材料,并說明它們特點(diǎn)寫出其他三種材料,并說明它們特點(diǎn)COMPOSITES復(fù)合材料是以一種材料為基體復(fù)合材料是以一種材料為基體MATRIX,另一種材料為增強(qiáng)體,另一種材料為增強(qiáng)體430511班材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)復(fù)習(xí)資料僅供參考整理曹永友3的基礎(chǔ)上建立了氫原子核外電子運(yùn)動模型,提出了原子結(jié)構(gòu)理論上的三點(diǎn)假設(shè)的基礎(chǔ)上建立了氫原子核外電子運(yùn)動模型,提出了原子結(jié)構(gòu)理論上的三點(diǎn)假設(shè)(1)任意軌道上繞核運(yùn)動,而是在一些符合一定量子化條件的軌道上運(yùn)動;)任意軌道上繞核運(yùn)動,而是在一些符合一定量子化條件的軌道上運(yùn)動;(2)電子軌離核越遠(yuǎn),原子所含的能量越高,電子盡可能處在離核最近的軌)電子軌離核越遠(yuǎn),原子所含的能量越高,電子盡可能處在離核最近的軌道上;(道上;(3)只有電子從較高能級躍遷到較低能級時(shí),原子才會以光子形式釋)只有電子從較高能級躍遷到較低能級時(shí),原子才會以光子形式釋放能量。玻而爾理論解釋了原子發(fā)光現(xiàn)象但無法解釋精細(xì)結(jié)構(gòu)和多原子、分子放能量。玻而爾理論解釋了原子發(fā)光現(xiàn)象但無法解釋精細(xì)結(jié)構(gòu)和多原子、分子或固體的光譜,存在局限性?;蚬腆w的光譜,存在局限性。量子力學(xué)模型量子力學(xué)模型量子力學(xué)是建立在微觀世界的量子性和微粒運(yùn)動統(tǒng)計(jì)性基量子力學(xué)是建立在微觀世界的量子性和微粒運(yùn)動統(tǒng)計(jì)性基本特征上,在量子力學(xué)處理氫原子核外電子的理論模型中,最基本的方程叫做本特征上,在量子力學(xué)處理氫原子核外電子的理論模型中,最基本的方程叫做薛定諤方程,是由奧地利科學(xué)家薛定諤(薛定諤方程,是由奧地利科學(xué)家薛定諤(ESCHRDINGER18871961)在)在1926年提出來的。薛定諤方程是一個(gè)二階偏微分方程,它的自變量是核外電子的坐提出來的。薛定諤方程是一個(gè)二階偏微分方程,它的自變量是核外電子的坐標(biāo),它的因變量是電子波的振幅(Ψ)標(biāo),它的因變量是電子波的振幅(Ψ)。給定電子在符合原子核外穩(wěn)定存在的。給定電子在符合原子核外穩(wěn)定存在的必要、合理的條件時(shí),薛定諤方程得到的每一個(gè)解就是核外電子的一個(gè)定態(tài),必要、合理的條件時(shí),薛定諤方程得到的每一個(gè)解就是核外電子的一個(gè)定態(tài),它具有一定的能量,具有一個(gè)電子波的振幅隨坐標(biāo)改變的的函數(shù)關(guān)系式Ψ它具有一定的能量,具有一個(gè)電子波的振幅隨坐標(biāo)改變的的函數(shù)關(guān)系式ΨFXYZ,稱為振幅方程或波動方程。,稱為振幅方程或波動方程。2能夠描述有關(guān)電子能量的量子力學(xué)法則。能夠描述有關(guān)電子能量的量子力學(xué)法則。能量最低原理,能量最低原理,PAULIPAULI不相容原理,不相容原理,HUNDHUND規(guī)則。規(guī)則。4A能夠簡單描述離子鍵,共價(jià)鍵,金屬鍵,氫鍵和范德華鍵。能夠簡單描述離子鍵,共價(jià)鍵,金屬鍵,氫鍵和范德華鍵。B能夠列出以這些化學(xué)鍵結(jié)合的典型物質(zhì)。能夠列出以這些化學(xué)鍵結(jié)合的典型物質(zhì)。離子鍵原子之間發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成正、負(fù)離子,并通過靜電作用而形離子鍵原子之間發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成正、負(fù)離子,并通過靜電作用而形成的化學(xué)鍵。離子鍵的本質(zhì)是靜電作用,無方向性、無飽和性。離子鍵程度與成的化學(xué)鍵。離子鍵的本質(zhì)是靜電作用,無方向性、無飽和性。離子鍵程度與元素的電負(fù)性有關(guān)。元素的電負(fù)性有關(guān)。共價(jià)鍵不同原子依靠共享電子,或原子軌道的最大重疊而結(jié)合形成的化共價(jià)鍵不同原子依靠共享電子,或原子軌道的最大重疊而結(jié)合形成的化學(xué)鍵為共價(jià)鍵。共價(jià)鍵的本質(zhì)是電性的,是兩原子核對共用電子對或原子軌道學(xué)鍵為共價(jià)鍵。共價(jià)鍵的本質(zhì)是電性的,是兩原子核對共用電子對或原子軌道重疊所形成負(fù)電區(qū)域的吸引力,不是正負(fù)離子間的靜電力。共價(jià)鍵有方向性和重疊所形成負(fù)電區(qū)域的吸引力,不是正負(fù)離子間的靜電力。共價(jià)鍵有方向性和飽和性。飽和性。金屬鍵在固態(tài)或液態(tài)金屬中,價(jià)電子可以自由地在不同原子間移動,使金屬鍵在固態(tài)或液態(tài)金屬中,價(jià)電子可以自由地在不同原子間移動,使其成為多個(gè)原子所共有,這些共用電子將許多原子粘合在一起的作用,被稱為其成為多個(gè)原子所共有,這些共用電子將許多原子粘合在一起的作用,被稱為是金屬鍵。是金屬鍵。氫鍵分子中帶正電的氫原子與另一分子中含有的孤對電子靠近并產(chǎn)生的氫鍵分子中帶正電的氫原子與另一分子中含有的孤對電子靠近并產(chǎn)生的吸引力為氫鍵。氫鍵形成的條件是必須在分子中存在電負(fù)性很強(qiáng)的元素使氫原吸引力為氫鍵。氫鍵形成的條件是必須在分子中存在電負(fù)性很強(qiáng)的元素使氫原子具有強(qiáng)極性,同時(shí),分子中帶有孤對電子,電負(fù)性大和半徑小的元素所構(gòu)子具有強(qiáng)極性,同時(shí),分子中帶有孤對電子,電負(fù)性大和半徑小的元素所構(gòu)成。氫鍵具有方向性和飽和性。成。氫鍵具有方向性和飽和性。范德華鍵由分子的取向力、誘導(dǎo)力和色散力導(dǎo)致分子間的作用力稱為范德華鍵由分子的取向力、誘導(dǎo)力和色散力導(dǎo)致分子間的作用力稱為VANDERWAALS鍵。鍵。CHAPTERTHREE金屬和陶瓷的結(jié)構(gòu)(三種典型晶體結(jié)構(gòu)、晶面、晶向)重點(diǎn)金屬和陶瓷的結(jié)構(gòu)(三種典型晶體結(jié)構(gòu)、晶面、晶向)重點(diǎn)重點(diǎn)為第三章。特別是三種常見的晶體結(jié)構(gòu)以及晶面和晶向及其指數(shù)。重點(diǎn)為第三章。特別是三種常見的晶體結(jié)構(gòu)以及晶面和晶向及其指數(shù)。
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    • 簡介:西北工業(yè)大學(xué)20122012年碩士研究生入學(xué)考試試題年碩士研究生入學(xué)考試試題答案答案試題名稱材料科學(xué)基礎(chǔ)試題編號832說明所有答題一律寫在答題紙上第頁共頁一、一、簡答題(每題簡答題(每題10分,共分,共50分)分)1請簡述滑移和孿生變形的特點(diǎn)答滑移變形特點(diǎn)1)平移滑動相對滑動的兩部分位向關(guān)系不變2)滑移線與應(yīng)力軸呈一定角度3)滑移不均勻性滑移集中在某些晶面上4)滑移線先于滑移帶出現(xiàn)由滑移線構(gòu)成滑移帶5)特定晶面,特定晶向?qū)\生變形特點(diǎn)1部分晶體發(fā)生均勻切變2變形與未變形部分呈鏡面對稱關(guān)系,晶體位向發(fā)生變化3臨界切分應(yīng)力大4孿生對塑變貢獻(xiàn)小于滑移5產(chǎn)生表面浮凸2什么是上坡擴(kuò)散哪些情況下會發(fā)生上坡擴(kuò)散答由低濃度處向高濃度處擴(kuò)散的現(xiàn)象稱為上坡擴(kuò)散。應(yīng)力場作用、電場磁場作用、晶界內(nèi)吸附作用和調(diào)幅分解反應(yīng)等情況下可能發(fā)生上坡擴(kuò)散。擴(kuò)散驅(qū)動力來自自由能下降,即化學(xué)位降低。3在室溫下,一般情況金屬材料的塑性比陶瓷材料好很多,為什么純銅與純鐵這兩種金屬材料哪個(gè)塑性好說明原因。答金屬材料的塑性比陶瓷材料好很多的原因從鍵合角度考慮,金屬材料主要是金屬鍵合,無方向性,塑性好;陶瓷材料主要是離子鍵、共價(jià)鍵,共價(jià)鍵有方向性,塑性差。離子鍵產(chǎn)生的靜電作用力,限制了滑移進(jìn)行,不利于變形。銅為面心立方結(jié)構(gòu),鐵為體心立方結(jié)構(gòu),兩者滑移系均為12個(gè),但面心立方的滑移系分布取向較體心立方勻衡,容易滿足臨界分切應(yīng)力。且面心立方滑移面的原子堆積密度比較大,因此滑移阻力較小。因而銅的塑性好于鐵。4請總結(jié)并簡要回答二元合金平衡結(jié)晶過程中,單相區(qū)、雙相區(qū)和三相2、在兩個(gè)相互垂直的滑移面上各有一條刃型位錯AB、XY,如圖所示。假設(shè)以下兩種情況中,位錯線XY在切應(yīng)力作用下發(fā)生運(yùn)動,運(yùn)動方向如圖中V所示,試問交割后兩位錯線的形狀有何變化(畫圖表示)在以下兩種情況下分別會在每個(gè)位錯上形成割階還是扭折新形成的割階或扭折屬于什么類型的位錯答A圖①XY向下運(yùn)動與AB交割,產(chǎn)生PP′小臺階,寬度為|B1|②PP′的柏氏矢量仍為B2③PP′⊥B2為刃型位錯④PP′不在原滑移面上,為割階⑤XY平行于B2,不形成臺階B圖①AB位錯線上出現(xiàn)PP′平行于B2,寬度為|B1|②PP′的柏氏矢量仍為B2③PP′∥B2為螺型位錯④PP′在原滑移面上,為扭折⑤XY位錯線上出現(xiàn)QQ′平行于B1,寬度為|B2|⑥QQ′的柏氏矢量仍為B1⑦QQ′∥B1為螺型位錯⑧QQ′在原滑移面上,為扭折
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    • 簡介:1有關(guān)晶面及晶向附圖21所示。2見附圖22所示。3100=100十010001,共3個(gè)等價(jià)面。110=110十101101011011110,共6個(gè)等價(jià)面。111=111111111111,共4個(gè)等價(jià)面。1311012AB,其大小為AB22||,其方向見附圖24所示。2位錯線方向及指數(shù)如附圖24所示。141能。幾何條件∑B前=∑B后=1113A;能量條件∑B前2=232A∑B后2=231A2不能。能量條件∑B前2=∑B后2,兩邊能量相等。3不能。幾何條件∑B前=AB557,∑B后=AB111,不能滿足。4不能。能量條件∑B前2=A2∑B后2=231A2B合=1113A;該位錯為弗蘭克不全位錯。161假設(shè)晶體中位錯線互相纏結(jié)、互相釘扎,則可能存在的位錯源數(shù)目11101010LN個(gè)/CM3。2ΤNI=195107PA。
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    • 簡介:1第二章第二章思考題與例題思考題與例題1離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵和金屬鍵的特點(diǎn),并解釋金屬鍵結(jié)合的固體材料的密度比離子鍵或共價(jià)鍵固體高的原因2從結(jié)構(gòu)、性能等方面描述晶體與非晶體的區(qū)別。3何謂理想晶體何謂單晶、多晶、晶粒及亞晶為什么單晶體成各向異性而多晶體一般情況下不顯示各向異性何謂空間點(diǎn)陣、晶體結(jié)構(gòu)及晶胞晶胞有哪些重要的特征參數(shù)4比較三種典型晶體結(jié)構(gòu)的特征。(AL、ΑFE、MG三種材料屬何種晶體結(jié)構(gòu)描述它們的晶體結(jié)構(gòu)特征并比較它們塑性的好壞并解釋。)何謂配位數(shù)何謂致密度金屬中常見的三種晶體結(jié)構(gòu)從原子排列緊密程度等方面比較有何異同5固溶體和中間相的類型、特點(diǎn)和性能。何謂間隙固溶體它與間隙相、間隙化合物之間有何區(qū)別(以金屬為基的)固溶體與中間相的主要差異(如結(jié)構(gòu)、鍵性、性能)是什么6已知CU的原子直徑為256,求CU的晶格常數(shù),并計(jì)算1MM3CU的原子數(shù)。A7已知AL相對原子質(zhì)量AR(AL)2697,原子半徑Γ0143NM,求AL晶體的密度。8BCC鐵的單位晶胞體積,在912℃時(shí)是002464NM3;FCC鐵在相同溫度時(shí)其單位晶胞體積是00486NM3。當(dāng)鐵由BCC轉(zhuǎn)變?yōu)镕CC時(shí),其密度改變的百分比為多少9何謂金屬化合物常見金屬化合物有幾類影響它們形成和結(jié)構(gòu)的主要因素是什么其性能如何10在面心立方晶胞中畫出012和13晶向。在面心立方晶胞中畫出(012)和(13)22晶面。11設(shè)晶面(152)和(034)屬六方晶系的正交坐標(biāo)表述,試給出其四軸坐標(biāo)的表示。反之,求()及(22)的正交坐標(biāo)的表示。(練習(xí)),上題中均改為相應(yīng)晶向指數(shù),求312111相互轉(zhuǎn)換后結(jié)果。12在一個(gè)立方晶胞中確定6個(gè)表面面心位置的坐標(biāo),6個(gè)面心構(gòu)成一個(gè)正八面體,指出這個(gè)八面體各個(gè)表面的晶面指數(shù),各個(gè)棱邊和對角線的晶向指數(shù)。13寫出立方晶系的110、100、111、112晶面族包括的等價(jià)晶面,請分別畫出。14在立方晶系中的一個(gè)晶胞內(nèi)畫出(111)和(112)晶面,并寫出兩晶面交線的晶向指數(shù)。15在六方晶系晶胞中畫出110,101晶向和(102)晶面,并確定(102)晶面2111與六方晶胞交線的晶向指數(shù)。16在立方晶系的一個(gè)晶胞內(nèi)同時(shí)畫出位于(101),(011)和(112)晶面上的11晶1向。17在1000℃,有WC為17的碳溶于FCC鐵的固溶體,求100個(gè)單位晶胞中有多少個(gè)碳3作柏氏回路,B;(2)圍繞單個(gè)作柏氏回路,B(表明方向和強(qiáng)度)7方形晶體中有兩根刃型位錯,如下圖4(1)當(dāng)周圍晶體中(A)空位多于平衡值;B)空位少于平衡值;C)間隙原子多于平衡值;(D)間隙原子少于平衡值時(shí),位錯易于向何種方向攀移(2)加上怎樣的外力,才能使這兩根位錯線通過純攀移而相互靠攏8簡單立方晶體中(100)面上有一位錯,00,001,問(1)若在(001)B1面上有一個(gè)010,100的位錯與之相割,結(jié)果如何(2)若在(001)面上有一個(gè)BB100,001的位移與之相割,結(jié)果如何(3)交割反應(yīng)的結(jié)果對位錯進(jìn)一步運(yùn)動有何影響9畫一方形位錯環(huán),并在這個(gè)平面上畫出柏氏矢量(沿對角線方向)及位錯線方向(順時(shí)針),據(jù)此指出位錯環(huán)各段的性質(zhì),并示意畫出晶體滑移后的結(jié)果。10在實(shí)際晶體中存在有哪幾類缺陷各有什么特征11何謂刃型位錯和螺型位錯全面比較兩者有何異同何謂柏氏矢量如何用柏氏矢量來判斷位錯類型12兩個(gè)相同符合的的刃型位錯,在同一滑移面相遇;它們會排斥還是會吸引13試說明晶體中位錯運(yùn)動的方式滑移,攀移及交滑移的條件,過程和結(jié)果,并闡述如何確定位錯滑移運(yùn)動的方向在刃型位錯與螺型位錯的滑移運(yùn)動中,滑移方向與柏氏矢量、切應(yīng)力及位錯線的位向關(guān)系是什么14晶界在金屬材料中所起的作用有哪些當(dāng)金屬熔化時(shí),是先在晶界還是先在晶粒中心熔化,為什么15試分別描述位錯增殖的FR源機(jī)制和雙交滑移機(jī)制。如果進(jìn)行雙交滑移的那段螺形位錯的長度為50NM,而位錯的柏氏矢量為08NM,試求實(shí)現(xiàn)位錯增殖所必需的切應(yīng)力(G40GPA)16何謂小角度晶界有哪些類型原子排列上有什么特征17一個(gè)位錯環(huán)能否各部分都是螺位錯能否各部分都是刃位錯為什么18在刃型位錯與螺型位錯的滑移運(yùn)動中,滑移方向與柏氏矢量、切應(yīng)力及位錯線的位向關(guān)系是什么19何謂割階、扭折割階或扭折的長短和位向如何割階或扭折的柏氏矢量如何產(chǎn)生割階或扭折后位錯應(yīng)變能的增加量如何割階或扭折對原位錯線運(yùn)動有何影響20舉例或畫圖說明什么是小角度晶界的位錯模型描述大角度晶界有何模型其含義是什么21點(diǎn)缺陷分幾種它們對周圍原子排列有何影響何謂空位平衡濃度其影響因素是什么這些缺陷對金屬性能有何影響22繪圖說明用柏氏回路方法求出位錯的柏氏矢量,并說明柏氏矢量的物理意義及用柏氏矢量如何確定位錯性質(zhì)23名詞區(qū)別刃型位錯和螺型位錯,割價(jià)和扭折,交滑移和多滑移,滑移和攀移,晶界、相界和孿晶界,共格相界、非共格相界和半共格相界,小角度晶界和大角度晶界
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    • 簡介:化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院2012年擬招生總?cè)藬?shù)年擬招生總?cè)藬?shù)220人,包含以下專業(yè)人,包含以下專業(yè)學(xué)科專業(yè)代碼學(xué)科專業(yè)代碼070300學(xué)科專業(yè)名稱學(xué)科專業(yè)名稱化學(xué)報(bào)考條件報(bào)考條件推免生、統(tǒng)考生專業(yè)介紹主要內(nèi)容包括中國科技大學(xué)化學(xué)學(xué)科是國家一級重點(diǎn)學(xué)科,設(shè)一級學(xué)科博士、碩士學(xué)位授權(quán)點(diǎn)。碩士生招生涵蓋的二級學(xué)科包括無機(jī)化學(xué)、分析化學(xué)、有機(jī)化學(xué)、物理化學(xué)、高分子化學(xué)與物理和化學(xué)生物學(xué)。研究方向覆蓋各二級學(xué)科的主要分支,并有學(xué)科之間的廣泛交叉。無機(jī)化學(xué)專業(yè)以無機(jī)合成化學(xué)和固體化學(xué)方向?yàn)樘厣?,注重材料科學(xué)與凝聚態(tài)物理的交叉與結(jié)合,并通過無機(jī)合成、固體化學(xué)、材料科學(xué)與凝聚態(tài)物理等學(xué)科的交叉,推動無機(jī)化學(xué)在材料、信息、能源與環(huán)境等相關(guān)領(lǐng)域中的重要基礎(chǔ)問題和關(guān)鍵技術(shù)問題的研究和解決。也開展生物無機(jī)化學(xué)和配位化學(xué)方向的研究。有機(jī)化學(xué)專業(yè)涵蓋有機(jī)化學(xué)三級學(xué)科的主要研究方向,包括理論有機(jī)化學(xué)、不對稱催化、金屬有機(jī)化合物及新型催化劑的合成、惰性化學(xué)鍵的催化活化及轉(zhuǎn)化、富勒烯衍生物的制備與性能、新型有機(jī)功能材料、綠色有機(jī)合成等。分析化學(xué)專業(yè)的特點(diǎn)是以新方法、新思維適應(yīng)學(xué)科發(fā)展,開展各種分析新方法的研究,如電化學(xué)分析、發(fā)光與熒光分析、光聲光譜、電動分離富集、化學(xué)計(jì)量學(xué)等。同時(shí)與其他學(xué)科互相滲透和交叉,如生物醫(yī)學(xué)分析、生物成像分析、環(huán)境與食品安全分析、生物納米分析、化學(xué)生物傳感器、煙草分析化學(xué)等。物理化學(xué)含化學(xué)物理專業(yè)包括單分子物理與化學(xué)、原子分子光譜與化學(xué)動力學(xué)、膠體和生物大分子物理化學(xué)、表面物理化學(xué)、催化化學(xué)和電化學(xué)、理論與計(jì)算化學(xué)等,并向材料和生命科學(xué)滲透。該專業(yè)側(cè)重化學(xué)與物理學(xué)交叉領(lǐng)域的分子及聚集體的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及相互關(guān)系,具有宏觀與微觀的結(jié)合、化學(xué)與物理相結(jié)合、理論與實(shí)驗(yàn)的結(jié)合、基礎(chǔ)與應(yīng)用的結(jié)合等特點(diǎn)。高分子化學(xué)與物理專業(yè)高分子化學(xué)與物理專業(yè)基于各種可控聚合反應(yīng)和前體合成方法,結(jié)合先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和性能研究表征手段,以調(diào)控高分子聚集體的結(jié)構(gòu)和性能為目標(biāo),研究高分子科學(xué)的基礎(chǔ)和應(yīng)用基礎(chǔ)問題;與化學(xué)、生物、能源、信息等學(xué)科的廣泛交叉是該學(xué)科目前的重要發(fā)展內(nèi)容;研究內(nèi)容涵蓋高分子合成方法學(xué)、高分子聚集態(tài)調(diào)控和模擬、生物醫(yī)用高分子材料、工程材料、光電磁功能材料、高性能分離材料、高分子輻射化學(xué)等?;瘜W(xué)生物學(xué)專業(yè)主要開展分子識別、小分子調(diào)控與藥物化學(xué)、生物無機(jī)化學(xué)、生物分析化學(xué)、細(xì)胞化學(xué)生物學(xué)等方向的研究。應(yīng)用化學(xué)專業(yè)包括污染控制化學(xué)、膜科學(xué)與技術(shù)、能源化學(xué)、煙草化學(xué)等研究方向,以培養(yǎng)具有堅(jiān)實(shí)的應(yīng)用化學(xué)基礎(chǔ)知識和實(shí)驗(yàn)技能,有一定的化工知識,既能從事應(yīng)用化學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究和科技開發(fā),又能從事高等教育的高層次專業(yè)人才為主要目標(biāo)。生物質(zhì)化學(xué)專業(yè)是我校的新興交叉前沿學(xué)科,主要開展生物質(zhì)化學(xué)轉(zhuǎn)化方面的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究。主要研究內(nèi)容包括生物質(zhì)結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)化機(jī)理,生物質(zhì)催化轉(zhuǎn)化制液體燃料,生物質(zhì)基能源平臺分子和高附加值化學(xué)品的制備,生物油的重整制氫和精煉提質(zhì)等。碩士研究碩士研究方向方向碩士考試碩士考試科目科目覆蓋范圍覆蓋范圍參考書目參考書目無機(jī)化學(xué)有機(jī)化學(xué)分析化學(xué)物理化學(xué)含化學(xué)物理化學(xué)生1101思想政治2201英語一3621物理化學(xué)4846綜合化綜合化學(xué)包括無機(jī)化學(xué)、分析化學(xué)和有機(jī)化學(xué)相關(guān)內(nèi)容。無機(jī)化學(xué)部分涵蓋化學(xué)原理、化學(xué)理論和描述化學(xué)(元素及其化合物的性質(zhì)),注重元素與化合物的基本性質(zhì)與化學(xué)原理、化學(xué)理論的有機(jī)結(jié)合。分析化學(xué)部分以定量分析內(nèi)容為主,包括化學(xué)分析的基本理論和儀器分析的基本原理、基本實(shí)驗(yàn)技能和分析方法的綜合應(yīng)用。根據(jù)分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)性強(qiáng)的特點(diǎn),要求在正確理解分析化學(xué)基本理論的基礎(chǔ)上,具備一定的分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)技能。注意分析化學(xué)學(xué)科的發(fā)展方向以及分析化學(xué)與生命科學(xué)、材料科學(xué)和環(huán)境科學(xué)等交叉領(lǐng)域的新問題。有機(jī)化學(xué)部分考試命題的知識范圍涵蓋基礎(chǔ)有機(jī)化學(xué)的全部內(nèi)容,根據(jù)有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)特點(diǎn),要求正確理解各類基本有機(jī)反應(yīng)機(jī)理,具備應(yīng)用基礎(chǔ)有機(jī)化學(xué)知識理解實(shí)驗(yàn)結(jié)果、解釋實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象、綜合化學(xué),中國科技大學(xué)出版社,2011物理化學(xué),付獻(xiàn)彩,高等教育出版社。物理化學(xué)概念辨析解題方法,范崇政,中國科大出版社。高分子化學(xué),潘才元化學(xué)中的分離方法;各類高分子成方法的理論與實(shí)踐;高分子化學(xué)與高分子物理實(shí)驗(yàn)中涉及到的基本操作、關(guān)鍵知識點(diǎn)等。參考書目有機(jī)化學(xué)伍越寰等編,科大出版社;有機(jī)化學(xué)實(shí)驗(yàn)蘭州大學(xué)等編(第二版),高等教育出版社;儀器分析武漢大學(xué)編,高等教育出版社;高分子化學(xué)科大出版社;新編高聚物的結(jié)構(gòu)與性能科學(xué)出版社;高分子化學(xué)實(shí)驗(yàn)科大出版社;高分子物理實(shí)驗(yàn)科大出版社。面試英語應(yīng)用能力考核、綜合能力測試及實(shí)驗(yàn)操作?;瘜W(xué)生物學(xué)筆試基礎(chǔ)化學(xué)知識的綜合應(yīng)用、基礎(chǔ)生物化學(xué)知識。參考書目各類相關(guān)的高等教材都適用;面試英語應(yīng)用能力考核、綜合能力測試。應(yīng)用化學(xué)筆試加口試。包括液體動力過程,傳熱過程,傳質(zhì)過程,反應(yīng)器基本原理生物質(zhì)化學(xué)筆試包括有機(jī)化學(xué)、分析化學(xué)、催化化學(xué)和化學(xué)工程等基礎(chǔ)理論及其綜合應(yīng)用。參考書目各類相關(guān)的高等教材都適用。面試綜合素質(zhì)考核。學(xué)科專業(yè)代碼學(xué)科專業(yè)代碼080500學(xué)科專業(yè)名稱學(xué)科專業(yè)名稱材料科學(xué)與工程報(bào)考條件報(bào)考條件推免生、統(tǒng)考生專業(yè)介紹主要內(nèi)容包括材料科學(xué)與工程涵蓋材料學(xué)、材料物理化學(xué)和材料加工工程3個(gè)二級學(xué)科材料學(xué)是以材料化學(xué)(材料熱力學(xué)和動力學(xué)、固體化學(xué)、陶瓷工藝學(xué)和材料合成化學(xué))為主要學(xué)科基礎(chǔ)的研究生培養(yǎng)單位,重點(diǎn)關(guān)注無機(jī)功能材料的制備、性能表征和改善、以及材料在(原型)器件中的集成與應(yīng)用。研究方向涉及新型能量轉(zhuǎn)換和儲存的固體氧化物燃料電池、鋰離子電池、陶瓷膜反應(yīng)器、陶瓷發(fā)光材料、納米功能材料、熱敏陶瓷、多孔和致密無機(jī)分離膜處理、以及生物材料等。開設(shè)的課程包括材料中的速率過程、材料熱力學(xué)與相平衡、材料合成化學(xué)、陶瓷科學(xué)與工藝學(xué)、固體化學(xué)、化學(xué)汽相淀積與薄膜工藝、溶膠凝膠化學(xué)與工程引論、新能源材料與技術(shù)、先進(jìn)材料制備技術(shù)、材料科學(xué)與工程前沿等。本學(xué)科點(diǎn)培養(yǎng)具有堅(jiān)實(shí)、系統(tǒng)的材料科學(xué)與工程理論基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)技能,了解材料科學(xué)發(fā)展的前沿和動態(tài),適應(yīng)我國經(jīng)濟(jì)、科技、教育發(fā)展需要,能夠在本學(xué)科和相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域獨(dú)立開展工作的高層次人才。本學(xué)位點(diǎn)共有7名正教授和4名副教授。材料物理與化學(xué)是以材料物理、材料化學(xué)、固體物理、功能薄膜等為主要學(xué)科基礎(chǔ)的研究生培養(yǎng)單位。研究方向涉及新能源材料的光伏、光電、熱電材料和半導(dǎo)體材料、功能納米材料等,涉及無機(jī)非金屬功能材料的理論計(jì)算、物理和化學(xué)制備、性能表征等研究內(nèi)容。培養(yǎng)具有堅(jiān)實(shí)、系統(tǒng)的材料物理與化學(xué)理論基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)技能,了解材料物理與化學(xué)發(fā)展的前沿和動態(tài),適應(yīng)我國經(jīng)濟(jì)、科技、教育發(fā)展需要,能夠在本學(xué)科和相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域獨(dú)立開展工作的高層次人才。材料物理與化學(xué)學(xué)位點(diǎn)的碩士、博士畢業(yè)生主要去向?yàn)槌鰢魧W(xué)、高等院校任教、科研院所從事材料科學(xué)與工程、材料物理與化學(xué)專業(yè)研究、國內(nèi)半導(dǎo)體材料、電子陶瓷、晶體、薄膜生長等高科技公司從事研發(fā)工作。本學(xué)科點(diǎn)共有8名正教授和4名副教授。材料加工工程研究高分子材料的制備、加工與改性,探索高分子材料的結(jié)構(gòu)與電、磁、光等性能的關(guān)系,具有化學(xué)與物理、基礎(chǔ)與工程應(yīng)用、結(jié)果與性能密切結(jié)合的特點(diǎn)。研究方向包括高分子復(fù)合材料的成型加工,高分子材料增韌改性,無機(jī)有機(jī)雜化材料,阻燃高分子復(fù)合材料,聚合物無機(jī)納米復(fù)合材料,聚合物膜,光敏聚合物,聚合物光子材料加工工程,丙烯酸酯聚合物的制備與應(yīng)用,高分子微結(jié)構(gòu)與加工性能和生物醫(yī)用材料等。本學(xué)科點(diǎn)培養(yǎng)具有堅(jiān)實(shí)、系統(tǒng)的高分子材料加工工程理論基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)技能,了解高分子材料科學(xué)發(fā)展的前沿和動態(tài),適應(yīng)我國經(jīng)濟(jì)、科技、教育發(fā)展需要,能夠在本學(xué)科和相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域獨(dú)立開展工作的高層次人才。材料加工工程學(xué)位點(diǎn)的碩士、博士畢業(yè)生主要去向?yàn)槌鰢魧W(xué)、高等院校任教或在科研院所及國內(nèi)外高新技術(shù)公司從事高分子材料加工工程方面的研發(fā)工作。本學(xué)位點(diǎn)共
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    • 簡介:材料科學(xué)基礎(chǔ)余永寧第二版答案材料科學(xué)基礎(chǔ)余永寧第二版答案其實(shí)放眼看去,咱們學(xué)過的幾節(jié)課中讓人稍感不適的無非就那14種布喇菲點(diǎn)陣的劃分,晶帶和沒怎么理解的倒易點(diǎn)陣,針對這些本文將陸續(xù)展開敘述。晶體的基本特征P2晶體那五個(gè)什么基本特性翻翻看就好。晶體結(jié)構(gòu)和點(diǎn)陣P3晶體由結(jié)構(gòu)基元在空間呈不隨時(shí)間變化的規(guī)則三維周期排列而形成。點(diǎn)陣即等同點(diǎn)組成的陣列。P4初基矢量、初基單胞、復(fù)式初基單胞初基單胞體積、面積、長度不管怎樣劃分都相等P5單胞體積與陣點(diǎn)距離的公式看下應(yīng)該就好,應(yīng)該不會用得到P6點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)基元晶體結(jié)構(gòu)對稱性P7對稱性就是通過平移、旋轉(zhuǎn)、反映等一系列操作后還能和自身重合,這也是后面晶系的劃分依據(jù)P8對稱變換的主動操作與被動操作隨便看看就好。P9關(guān)于旋轉(zhuǎn),課本舉的是由平行于XOY平面的向量繞Z軸旋轉(zhuǎn)一定角度后得到新向量的變換,即R′RR,具數(shù)。P1517旋轉(zhuǎn)反演,國際方案與熊夫利斯方案并不相同,前者是先旋轉(zhuǎn)再反演,后者是先旋轉(zhuǎn)再反映,但二者都是非同宇的,而且二者間確有聯(lián)系,如S35等。其實(shí)這東西覺得蠻少用到,先理解著記住吧。晶系和點(diǎn)陣幾何P18上面那篇推導(dǎo)就想說明若晶體中含有旋轉(zhuǎn)軸,那么其軸次只能是12346,推導(dǎo)關(guān)鍵就是BB′∥AA′且為其整數(shù)倍。不喜歡推倒的同學(xué)記住結(jié)論應(yīng)該就可以了。P1923有關(guān)晶系的劃分簡單來說三斜就是最不規(guī)則的平行六面體;單斜、正交、四方、六方很相似,首先明確這幾個(gè)都是立柱。單斜底面是一不規(guī)則平行四邊形,正交底面是一矩形,四方底面是一正方形,六方底面是一夾角為120的菱形;剩下的立方和菱形則比較相似,立方不多說,菱形其實(shí)就是立方沿其一體對角線這么一拉就OK了。這樣分這七種晶系應(yīng)該就好理解多了,點(diǎn)陣常數(shù)間的關(guān)系無須再作說明。再看分類依據(jù)旋轉(zhuǎn)軸首先三斜只有恒等變換,單斜就一2次軸,立方有兩個(gè)以上的2次軸,四方有一個(gè)4次軸,立方是四個(gè)3次
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    • 簡介:材料科學(xué)與工程復(fù)習(xí)思考題及參考答案(34)3工程材料的基本性能31何謂材料的工藝性能,金屬材料的工藝性能有哪些32何謂材料的使用性能,一般使用性能有哪些33材料性能是材料對于各種廣義負(fù)荷作用的響應(yīng),這些負(fù)荷通常指什么34何謂材料的力學(xué)性能,常見的力學(xué)性能有哪些35影響材料的力學(xué)性能的因素36解釋應(yīng)力應(yīng)變曲線37彈性變形38彈性模量,解釋其物理意義39何謂材料的強(qiáng)度,工程上有哪些衡量材料強(qiáng)度的指標(biāo)310何謂材料彈性極限ΣE,條件彈性極限311何謂材料屈服強(qiáng)度(屈服應(yīng)力)ΣS,條件屈服強(qiáng)度312何謂抗拉強(qiáng)度ΣB,對于不發(fā)生頸縮的材料如何定義其抗拉強(qiáng)度313何謂斷裂強(qiáng)度ΣF314何謂塑性功,塑性功的對材料成型工藝的意義315材料的延伸率和斷面收縮率的物理意義316何謂材料硬度,常用測試方法及名稱317洛氏硬度的測定原理,HRB何意,具體壓頭、載荷、應(yīng)用范圍318下面示意圖中何者為維氏硬度測量示意319何謂材料的韌性,與強(qiáng)度、塑性的對比334解讀鍵能與原子平均間距示意圖335敘述金屬材料和非金屬材料的導(dǎo)熱機(jī)理336熱應(yīng)力與其物理意義337熱應(yīng)力產(chǎn)生的主要因素338如何消除熱應(yīng)力339何謂高分子材料的老化,舉例說明340引起高分子材料老化的環(huán)境因素4材料的原子結(jié)構(gòu)和原子間結(jié)合鍵41影響材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的因素及重要性42固體材料按照聚集狀態(tài)分類43實(shí)際上材料結(jié)構(gòu)的涵義是什么44何謂材料顯微組織結(jié)構(gòu),舉例45何謂原子的電子結(jié)構(gòu),其特征尺度,研究內(nèi)容分類46凝聚態(tài)成為物質(zhì)常見狀態(tài)的原因47凝聚態(tài)分類48聚集態(tài)原子間相互作用的一般規(guī)律常用何種模型說明,具體內(nèi)容是什么49一些晶體的結(jié)合能可粗略地表示為NMRBRARE,說明方程右邊各項(xiàng)含義410離子鍵舉例說明411離子鍵特征,離子晶體特征
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    • 簡介:此資料為北科材料科學(xué)基礎(chǔ)本科生作業(yè)習(xí)題答案供報(bào)考北科材料人員使用。目錄1第一章晶體學(xué)22第二章晶體結(jié)構(gòu)193第三章相圖224第四章金屬和合金中的擴(kuò)散455第五章凝固566第六章錯位657第七章晶態(tài)固體的表面和界面798第八章晶體的塑性變形869第九章回復(fù)和再結(jié)晶9410第十章固態(tài)轉(zhuǎn)變100歪制作合成,望有用12解因1000100012100100001010400121004001的等價(jià)操作為10000101010000101010001000142001100這組合的操作和2011操作等效。40012100的等價(jià)操作為10000101010001000110000101024100001這組合的操作和2011操作等效。對比上面兩個(gè)結(jié)果,操作的順序不同,所得的操作結(jié)果不同。6畫出圖159中各個(gè)形體所有的對稱元素。其中A是立方體,B是四面體,C是八面體,D是正六面柱體。解下圖是立方體和八面體的對稱元素示意圖。立方體有4個(gè)3次軸,它們是4個(gè)體對角線,即過立方體中心的3個(gè)方向;有3個(gè)4次軸,它們是立方體三對平行面的中點(diǎn)連線,即過立方體中心的3個(gè)方向;有6個(gè)2次軸,它們是過立方體中心的6個(gè)方向;有9個(gè)鏡面,即過立方體中心的3個(gè)100面和過立方體中心的6個(gè)110面;有一個(gè)對稱中心,它就是立方體的中心。立方體頂面和底面中心與過立方體中心并平行于頂面(和底面)的四邊形四個(gè)頂點(diǎn)連接起來就是一個(gè)八面體,所以八面體的對稱性質(zhì)與立方體的相同。它有4個(gè)3次軸,3個(gè)4次軸,見上圖右2圖;有6個(gè)2次軸,見上圖的右3圖;有9個(gè)鏡面,上面最右邊的圖只畫出了四個(gè)鏡面,它們是過E、F點(diǎn)與ABCD四邊形的兩條中線連成的兩個(gè)面以及EAFC面和EBFC面,按同樣方法以A、C頂點(diǎn)和B、D頂點(diǎn)也可各得四個(gè)鏡面,但是其中有三個(gè)是重復(fù)的,所以共有9個(gè)鏡面;八面體中心是對稱中心。下右圖是六面柱體和四面體的對稱元素的示意圖。六面柱體有1個(gè)6次軸,它是過六面柱體中心并垂直頂面和底面的軸;有6個(gè)2次軸,它們是過六面柱體中心的六邊形的三個(gè)對角線和這個(gè)六邊形對邊中點(diǎn)連線;有7個(gè)鏡面,它們是是過六面柱體中心的六邊形面、六
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    • 簡介:材料科學(xué)基礎(chǔ),第一章材料的結(jié)構(gòu),前言,材料熱處理學(xué)報(bào),29(1),99-101,2008304奧氏體不銹鋼熱誘發(fā)馬氏體相變研究楊卓越、王建、陳嘉硯,摘要借助X射線衍射技術(shù),研究了304奧氏體不銹鋼熱誘發(fā)馬氏體相變傾向。結(jié)果表明C、MN、CR和NI接近標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范下限,304不銹鋼的穩(wěn)定性急劇下降,致使液氮內(nèi)冷卻后的奧氏體轉(zhuǎn)變?yōu)棣 浠颚ヱR氏體,室溫拉伸即形成應(yīng)變誘發(fā)Ε和Α′馬氏體,而且較小的室溫變形顯著增大隨后液氮內(nèi)冷卻的熱誘發(fā)Α′馬氏體相變傾向,但隨室溫預(yù)應(yīng)變增大快速形成應(yīng)變誘發(fā)Α′馬氏體,致使隨后在液氮內(nèi)發(fā)生熱誘發(fā)Α′馬氏體傾向下降。此外,研究表明Ε馬氏體的形成及消失與Α′馬氏體的累積量有關(guān)。,SHUILI,JINTAO,TIANSUGUI,HUZHUANGQIINFLUENCEOFPRECIPITATEMORPHOLOGYONTENSILECREEPOFASINGLECRYSTALNICKELBASESUPERALLOY,ABSTRACTTHEINFLUENCEOFTHEPRECIPITATEMORPHOLOGYONTHECREEPPROPERTIESOF001ORIENTATEDSPECIMENSOFANICKELBASESINGLECRYSTALSUPERALLOYHASBEENINVESTIGATEDSPECIMENSWITHTWODIFFERENTMICROSTRUCTURES,NAMELYASHEATTREATEDCRYSTALSWITHCUBOIDALPARTICLESANDCRYSTALSGIVENACOMPRESSIONPRETREATMENTTOFORMARAFTMICROSTRUCTUREORIENTATEDPARALLELTOTHESTRESSAXIS,WERECREPTAT800AND1000?CTHEANALYSISOFTHEEXPERIMENTSSHOWTHAT,AT800?CAND600MPA,THEALLOYWITHCUBOIDALPRECIPITATESEXHIBITEDBOTHLOWERCREEPRATESANDLONGERRUPTURELIVESCOMPAREDTOTHOSEWITHRAFTEDTEMEXAMINATIONSHOWEDTHAT,INADDITIONTO{111}110SLIPSYSTEMOPERATEDINMATRIX,THEPRECIPITATESARECUTBYSUPERLATTICEDISLOCATIONSANDSTACKINGFAULTITINDICATEDTHATDISLOCATIONSCOULDSHEARTHESEMICOHERENTRAFTSRELATIVELYEASILYOMPAREDTOTHECOHERENTCUBOIDALAT1000?CAND200MPA,THEALLOYWITHRAFTMICROSTRUCTUREEXHIBITEDANEXTREMELYLOWMINIMUMCREEPRATEANDLONGERRUPTURELIFETHEDISLOCATIONSMOVEMENTBYTHECOMBINATIONOFCLIMBINGANDGLIDINGPROCESSESANDTHEGLIDE–CLIMBALONG/VERTICALINTERFACESAREIMPEDEDMOSTSTRONGLYTHISINDICATESTHATTHERAFTEDSTRUCTUREISBENEFICIALTOIMPROVINGCREEPRESISTANCEOFTHEALLOYUNDERTHETESTCONDITION,MATERIALSSCIENCEANDENGINEERINGA454–4552007461–466,FIG5DISLOCATIONSTRUCTUREOFAPRECOMPRESSIONTREATMENTSPECIMENSDURINGCREEPAT800?CAND600MPAAT0,BT10H,CT50HANDDAFTERFAILATT287H,FIG8SCHEMATICOFDISLOCATIONSHEARINGPRECIPITATEBYSTACKINGFAULT,相關(guān)概念,304不銹鋼熱誘發(fā)液氮-拉伸變形-液氮-X光、TEMΓ奧氏體Α′立方馬氏體Ε六方馬氏體X射線、TEM111200220311NICKELBASESUPERALLOY001ORIENTATED001位向SINGLECRYSTAL單晶體CUBOIDALPARTICLES立方系顆粒{111}110SLIPSYSTEM滑移系DISLOCATIONSANDSTACKINGFAULT位錯和層錯DISLOCATIONSCLIMBINGANDGLIDING位錯攀移和滑移,⑴相變機(jī)制固態(tài)相變過飽和固溶體蠕變位錯層錯滑移攀移⑵晶體學(xué)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)單晶體多晶體原子排列體心立方面心立方密排六方晶體表征晶面指數(shù)晶向指數(shù),內(nèi)容及要求懂-會-熟(練習(xí)),本章內(nèi)容,1化學(xué)鍵2晶體和非晶體3空間點(diǎn)陣-4要素14種點(diǎn)陣(7個(gè)晶系)陣點(diǎn)晶向晶面晶胞(單胞)4晶向指數(shù)5晶面指數(shù)6典型金屬晶體結(jié)構(gòu)體心立方面心立方密排六方7合金相結(jié)構(gòu)固溶體中間相,§11材料的結(jié)合方式,化學(xué)鍵質(zhì)點(diǎn)間的作用力共價(jià)鍵共用電子對所產(chǎn)生的力離子鍵兩種離子間的靜電力金屬鍵屬正離子與自由電子之間的力范德瓦爾斯鍵正負(fù)電荷部分間的微弱靜電力,共價(jià)鍵,離子鍵,金屬鍵,,§12晶體學(xué)基礎(chǔ),原子排列無序短程有序長程有序晶體三維、周期性重復(fù)(整齊排列)近程有序,一、空間點(diǎn)陣,質(zhì)點(diǎn)-幾何點(diǎn)空間點(diǎn)陣陣點(diǎn)=結(jié)構(gòu)單元(原子、離子、分子、集團(tuán))晶格晶體結(jié)構(gòu)-晶體點(diǎn)陣晶胞對稱、棱角、直角、體積,對稱最好棱角最多直角最多體積最小,晶胞的表征XYZABCΑΒΓ,布拉菲點(diǎn)陣“每個(gè)陣點(diǎn)環(huán)境相同”(1848)14種點(diǎn)陣-7個(gè)晶系,7個(gè)晶系-14種點(diǎn)陣,課堂練習(xí)1-1,晶胞的表征畫出面心立方、體心立方、密排六方結(jié)構(gòu)圖。畫圖說明面心立方點(diǎn)陣可以表示為體心立方點(diǎn)陣。畫14種單胞舉例說明和UVW、{HKL}與HKL的區(qū)別,練習(xí)1-1參考答案,二、晶向指數(shù)和晶面指數(shù),晶向指數(shù),晶面指數(shù),六方系指數(shù),課堂練習(xí)1-2,在立方系中繪出{110}、{111}晶面族所包含的晶面及(112),(120)晶面。作圖表示出晶面族所包含的晶面。確定(112)和(120)晶面。求金剛石結(jié)構(gòu)中通過(0,0,0)和(3/4,3/4,1/4)兩碳原子的晶向,及于該晶向垂直的晶面。,,練習(xí)1-2答案,,,№1,∞、∞、∞、1,(1121)1、1、-1/2、1,,№2,晶帶相交或平行于某直線的所有晶面,直線晶帶軸晶帶定理HUKVLW0,晶面間距,,面間距的應(yīng)用-物相鑒定,FE的PDF卡片已知,FE的X射線衍射譜實(shí)驗(yàn),求(121)與(100)決定和(001)和(111)所決定晶帶軸計(jì)算面心立方結(jié)構(gòu)(111),(110),(100)的面間距。--其它面間距公式-計(jì)算任意晶面的面間距,課題練習(xí)1-3,№4,,三、極圖,,EBSP,晶體極射赤面投影,,,基園赤道緯線,課題練習(xí)1-4,EBSP文獻(xiàn),§13材料的晶體結(jié)構(gòu),一、典型金屬的晶體結(jié)構(gòu),二、原子半徑配位數(shù)面心立方,致密度原子體積/晶胞體積,間隙體心-四12/八6面心-四8/八4,試證明等徑鋼球最緊密堆積時(shí)所形成的密排六方結(jié)構(gòu)有C/A=1633,CB√3A/6C/2√2/3AC/A≈1633,,,,四、間隙,課題練習(xí)5,計(jì)算面心立方結(jié)構(gòu)的八面體間隙和四面體間隙半徑,并用間隙半徑和原子半徑之比表示間隙的大小。2畫四面體、八面體間隙,金剛石結(jié)構(gòu)SI、GE、SN、C共價(jià)鍵配位數(shù)=8-N族數(shù)=4致密度034(低于面心立方結(jié)構(gòu)),四面體間隙RB/RA≈0255八面體間隙RB/RA≈0414,三、原子的堆垛方式,132晶體結(jié)構(gòu),共價(jià)鍵晶體離子鍵晶體固溶體置換固溶體間隙固溶體合金相中間相正常價(jià)化合物電子化合物間隙相/間隙化合物拓?fù)涿芏严?,,,共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)金剛石結(jié)構(gòu)層狀結(jié)構(gòu)鏈狀結(jié)構(gòu),,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,VA族元素菱形層狀結(jié)構(gòu)配位數(shù)3,VIA族元素鏈狀結(jié)構(gòu)配位數(shù)2,離子晶體結(jié)構(gòu),典型離子化合物的晶體結(jié)構(gòu),離子晶體閱讀-思考題,畫圖說明CSCL結(jié)構(gòu)、離子位置、配位數(shù)畫圖說明NACL結(jié)構(gòu)、離子位置、配位數(shù)畫圖說明CAF2結(jié)構(gòu)、離子位置、配位數(shù)總結(jié)離子晶體的一般特征,組元相單相合金多相合金,合金相結(jié)構(gòu)固溶體和中間相,置換固溶體,固溶體,圖1-33,條件晶體結(jié)構(gòu)類型相同原子尺寸(RARB)/RA±1415電負(fù)性?。纬晒倘荏w,大-形成化合物電子濃度FCC136BCC148HCP175,,,,間隙固溶體FCCFC9%BCCFC0095,無序-偏聚-短程有序完全有序(有序固溶體-超結(jié)構(gòu)、超點(diǎn)陣),固溶體的微觀不均勻性,CUAUII型超結(jié)構(gòu),正常價(jià)化合物符合原子價(jià)規(guī)律ABAB2A2B3硬脆2電子化合物HUMEROTHERY定律濃度決定結(jié)構(gòu)表1-6熔點(diǎn)高硬脆間隙相和間隙化合物過渡族金屬+非金屬RX/RM-059拓?fù)涿芏严啻笮≡樱拿骟w間隙(空間圖形的分離性/緊性/連通性),中間相超過溶解度形成的新相,正常價(jià)化合物ABNACL,正常價(jià)化合物AB2CAF2,,,CL,NA,,,正常價(jià)離子化合物,電子化合物Β-21/14-體心立方(CUZN)Γ-21/13-復(fù)雜立方(CU5ZN8)Ε-21/12-密排六方(CUZN3),硬-脆-強(qiáng),間隙相高硬度、高熔點(diǎn)、金屬性,間隙化合物M3CM7C3M23C6,1650℃1340HVFE14密排C4間隙(八)FEC31,拓?fù)涿芏严郘AVESΣRP,,,,,課題練習(xí),氯化鈉與金剛石各屬于那種空間點(diǎn)陣計(jì)算其配位數(shù)與致密度12。,氯化鈉面心立方正負(fù)離子配位數(shù)6致密度067,金剛石面心立方配位數(shù)4致密度034,NACL占一個(gè)陣點(diǎn),面心立方,每個(gè)NA(CL)周圍有6個(gè)CL(NA),配位數(shù)6;RNA0097NM,RCL=0181NM,A=2(0097+0181)=0556NM。4個(gè)陣點(diǎn)-K=067,金剛石面心六方配位數(shù)4(8-N)原子半徑111原子鄰接,CS與CL-的相對原子質(zhì)量分別為1329和3545,離子半徑分別為0170NM和0181NM,試述晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn),屬于何種空間點(diǎn)陣并求離子配位數(shù)、致密度K和密度Ρ。,1離子半徑比0939方向正負(fù)離子相切,致密度密度421G/CM3,FEAL是電子化合物,電子濃度為3/2,畫出(112)面原子排列112對晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分類性總結(jié)VCFE3CCUZNMGCU2類型及結(jié)構(gòu)(1-13),參考答案,1FEAL電子化合物,C電=3/2體心立方2VC間隙相,F(xiàn)CC,V在結(jié)點(diǎn),C在八面體間隙,NACL型結(jié)構(gòu)FE3C復(fù)雜晶格,正交系,F(xiàn)E近密堆排列,呈八面體,C在八面體間隙CUZN電子化合物C電=3/2BCCMGCU2LAVES相復(fù)雜立方,CU組成小四面體,MG位于四面體間隙,組成金剛石結(jié)構(gòu),
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    • 簡介:常壓燒結(jié)技術(shù)在材料科學(xué)與工程專業(yè)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的研常壓燒結(jié)技術(shù)在材料科學(xué)與工程專業(yè)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的研究和應(yīng)用究和應(yīng)用常壓燒結(jié)技術(shù)材料科學(xué)與工程專業(yè)實(shí)驗(yàn)教學(xué)研究應(yīng)用一、前言在材料科學(xué)與工程專業(yè)的本科教學(xué)工作中,學(xué)生在高年級就開始學(xué)習(xí)材料科學(xué)與工程專業(yè)的基礎(chǔ)課程和專業(yè)課程。其中在材料科學(xué)與工程專業(yè)課程教學(xué)中,在講述材料的制備工藝方法中講述過常壓燒結(jié)工藝制備和合成復(fù)合材料。常壓燒結(jié)工藝是制備金屬陶瓷復(fù)合材料以及其他類型復(fù)合材料的主要方法。常壓燒結(jié)工藝首先將原料粉末通過壓力成型工藝制備出具有一定形狀的試樣坯體,并放入到高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)得到致密的燒結(jié)試樣,所以通過常壓燒結(jié)工藝得到較高致密度的燒結(jié)制品。所以常壓燒結(jié)工藝制造的燒結(jié)制品的致密度較高,力學(xué)性能較高。常壓燒結(jié)工藝可以制備復(fù)合材料和梯度功能材料等。常壓燒結(jié)工藝燒結(jié)速度慢,燒結(jié)時(shí)間較長,但是燒結(jié)溫度較高,可以制備比較致密的燒結(jié)塊材。采用常壓燒結(jié)工藝可以制備復(fù)合材料等。常壓燒結(jié)工藝制備復(fù)合材料由于具有可以達(dá)到凈近尺寸成形的優(yōu)勢,常壓燒結(jié)工藝可以根據(jù)工程需要制造形狀復(fù)雜的燒結(jié)制品和零部件,所以常壓燒結(jié)工藝能夠廣泛應(yīng)用于工程領(lǐng)域中。在材料科學(xué)與工程專業(yè)的本科課程教學(xué)中,在材料加工工程和材料制備方法中都講述過常壓燒結(jié)技術(shù)。此外還可以將常壓燒結(jié)技術(shù)制備復(fù)合材料作為一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)教學(xué)內(nèi)容安排學(xué)生進(jìn)行實(shí)驗(yàn),使學(xué)生認(rèn)識和了解常壓燒結(jié)技術(shù)制備復(fù)合材料的工藝過程。粉末原料通過壓力成型工藝制成所需要形狀的預(yù)制體,此預(yù)制體具有一定的致密度,并將預(yù)制體放入到高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)工藝,在一定的燒結(jié)溫度下保溫一段時(shí)間得到致密度較高的燒結(jié)制品。常壓燒結(jié)工藝可選擇的材料種類比較多,適用面也比較廣泛。采用常壓燒結(jié)工藝可以制備各種復(fù)雜形狀的燒結(jié)制品和零部件,所以常壓燒結(jié)工藝在材料科學(xué)與工程領(lǐng)域有著廣泛的研究和應(yīng)用。三、常壓燒結(jié)技術(shù)在材料科學(xué)與工程專業(yè)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的研究和應(yīng)用常壓燒結(jié)工藝是首先是將原料粉末通過壓力成型工藝制備出具有一定形狀的試樣坯體,并放入到高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)得到致密的燒結(jié)試樣。常壓燒結(jié)工藝是在燒結(jié)過程中對材料不進(jìn)行加壓而使其在高溫?zé)Y(jié)爐中以一定氣氛壓力下燒結(jié)制備致密的燒結(jié)試樣,常壓燒結(jié)工藝是目前應(yīng)用最普遍的燒結(jié)方法。常壓燒結(jié)技術(shù)具有燒結(jié)溫度較高,燒結(jié)時(shí)間較長,燒結(jié)效率高,可以實(shí)現(xiàn)燒結(jié)成型工藝,所以常壓燒結(jié)技術(shù)主要用于制備金屬陶瓷復(fù)合材料以及其他復(fù)合材料等。在材料科學(xué)與工程專業(yè)的教學(xué)課程中,其中材料加工工程和材料制備與合成方法講述過常壓燒結(jié)工藝。常壓燒結(jié)工藝同粉末冶金技術(shù)一樣都是材料的制備工藝技術(shù)。常壓燒結(jié)工藝同樣也是熱加工工藝,常壓燒結(jié)工藝是首先是將原料粉末通過壓力成型工藝制備出具有一定形狀的試樣坯體,并放入到高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)得到致密的燒結(jié)試樣。常壓燒結(jié)試樣坯體在高溫?zé)Y(jié)作用下形成致密的燒結(jié)體。在材料科學(xué)與工程專業(yè)課程的課堂教學(xué)中,有
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    • 簡介:1緒論1、仔細(xì)觀察一下白熾燈泡,會發(fā)現(xiàn)有多少種不同的材料每種材料需要何種熱學(xué)、電學(xué)性質(zhì)2、為什么金屬具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性3、為什么陶瓷、聚合物通常是絕緣體4、鋁原子的質(zhì)量是多少若鋁的密度為27GCM3,計(jì)算1MM3中有多少原子5、為了防止碰撞造成紐折,汽車的擋板可有裝甲制造,但實(shí)際應(yīng)用中為何不如此設(shè)計(jì)說出至少三種理由。6、描述不同材料常用的加工方法。7、敘述金屬材料的類型及其分類依據(jù)。8、試將下列材料按金屬、陶瓷、聚合物或復(fù)合材料進(jìn)行分類黃銅鋼筋混凝土橡膠氯化鈉鉛錫焊料瀝青環(huán)氧樹脂鎂合金碳化硅混凝土石墨玻璃鋼9、AL2O3陶瓷既牢固又堅(jiān)硬且耐磨,為什么不用AL2O3制造鐵錘晶體結(jié)構(gòu)1、解釋下列概念晶系、晶胞、晶胞參數(shù)、空間點(diǎn)陣、米勒指數(shù)(晶面指數(shù))、離子晶體的晶格能、原子半徑與離子半徑、配位數(shù)、離子極化、同質(zhì)多晶與類質(zhì)同晶、正尖晶石與反正尖晶石、反螢石結(jié)構(gòu)、鐵電效應(yīng)、壓電效應(yīng)2、(1)一晶面在X、Y、Z軸上的截距分別為2A、3B、6C,求出該晶面的米勒指數(shù);(2)一晶面在X、Y、Z軸上的截距分別為A3、B2、C,求出該晶面的米勒指數(shù)。3、在立方晶系的晶胞中畫出下列米勒指數(shù)的晶面和晶向(001)與210,(111)與112,(110)與111,(322)與236,(257)與111,(123)與121,(102),(112),(213),110,111,120,3214、寫出面心立方格子的單位平行六面體上所有結(jié)點(diǎn)的坐標(biāo)。5、已知MG2半徑為0072NM,O2半徑為0140NM,計(jì)算MGO晶體結(jié)構(gòu)的堆積系數(shù)與密度。6、計(jì)算體心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子數(shù)、配位數(shù)、堆積系數(shù)。7、從理論計(jì)算公式計(jì)算NAC1與MGO的晶格能。MGO的熔點(diǎn)為2800℃,NAC1為80L℃請說明這種差別的原因。8、根據(jù)最密堆積原理,空間利用率越高,結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定,金鋼石結(jié)構(gòu)的空間利用率很低只有3401%,為什么它也很穩(wěn)定9、證明等徑圓球面心立方最密堆積的空隙率為259%;10、金屬鎂原子作六方密堆積,測得它的密度為174克厘米3,求它的晶胞體積。11、根據(jù)半徑比關(guān)系,說明下列離子與O2配位時(shí)的配位數(shù)各是多RO20132NMRSI40039NMRK0133NMRAL30057NMRMG20078NM12、為什么石英不同系列變體之間的轉(zhuǎn)化溫度比同系列變體之間的轉(zhuǎn)化溫度高得多13、有效離子半徑可通過晶體結(jié)構(gòu)測定算出。在下面NACL型結(jié)構(gòu)晶體中,測得MGS和MNS的晶胞參數(shù)均為A052NM在這兩種結(jié)構(gòu)中,陰離子是相互接觸的。若CASA0567NM、CAOA048NM和MGOA042NM為一般陽離子陰離子接觸,試求這些晶體中各離子的半徑。14、氟化鋰LIF為NACL型結(jié)構(gòu),測得其密度為26G/CM3,根據(jù)此數(shù)據(jù)汁算晶胞參數(shù),并將此值與你從離子半徑計(jì)算得到數(shù)值進(jìn)行比較。15、LI2O的結(jié)構(gòu)是O2作面心立方堆積,LI占據(jù)所有四面體空隙位置。求1計(jì)算四面體空隙所能容納的最大陽離子半徑,并與書末附表LI半徑比較,說明此時(shí)O2能否互相接觸。2根據(jù)離子半徑數(shù)據(jù)求晶胞參數(shù)。3求LI2O的密度。16、試解釋對于AX型化合物來說,正負(fù)離子為一價(jià)時(shí)多形成離子化合物。二價(jià)時(shí)則形成的離子化合物減少如ZNS為共價(jià)型化合物,到了三價(jià)、四價(jià)如ALN,SIC則是形成共價(jià)化合物了。310、有兩個(gè)相同符號的刃位錯,在同一滑移面上相遇,它們將是排斥還是吸引11、晶界對位錯的運(yùn)動將發(fā)生怎么樣的影響能預(yù)計(jì)嗎12、晶界有小角度晶界與大角度晶界之分,大角度晶界能用位錯的陣列來描述嗎13、試述影響置換型固溶體的固溶度的條件。14、從化學(xué)組成、相組成考慮,試比較固溶體與化合物、機(jī)械混合物的差別。15、試闡明固溶體、晶格缺陷和非化學(xué)計(jì)量化合物三者之間的異同點(diǎn),列出簡明表格比較。16、在面心立方空間點(diǎn)陣中,面心位置的原子數(shù)比立方體頂角位置的原子數(shù)多三倍。原子B溶入A晶格的面心位置中,形成置換型固溶體,其成分應(yīng)該是A3B呢還是A2B為什么17、AL2O3在MGO中形成有限固溶體,在低共熔溫度1995℃時(shí),約有18重量%AL2O3溶入MGO中,假設(shè)MGO單位晶胞尺寸變化可忽略不計(jì)。試預(yù)計(jì)下列情況的密度變化。AO2為填隙離子。BA13為置換離子。18、對磁硫鐵礦進(jìn)行化學(xué)分析按分析數(shù)據(jù)的FE/S計(jì)算,得出兩種可能的成分FE1XS和FES1X。前者意味著是FE空位的缺陷結(jié)構(gòu);后者是FE被置換。設(shè)想用一種實(shí)驗(yàn)方法以確定該礦物究竟屬哪一類成分。19、說明為什么只有置換型固溶體的兩個(gè)組份之間才能相互完全溶解,而填隙型固溶體則不能。20、如果1溶劑和溶質(zhì)原子的原子半徑相差超過15%;2兩元素的電負(fù)性相差超過04%,通常這一對元素將不利于形成置換型固溶體,其中前一因素往往起主導(dǎo)作用。僅根據(jù)提供的資料提出哪一對金屬大概不會形成連續(xù)固溶體TAW,PTPBCO一NI,COZN,TITA。金屬原子半徑NM晶體結(jié)構(gòu)金屬原子半徑NM晶體結(jié)構(gòu)TICONI014610125101246六方883℃六方427℃面心立方427℃面心立方ZNTAWPTPD0133201430013700138701750六方體心立方體心立方面心立方面心立方21、對于MGO、AL2O3,和CR2O3,其正、負(fù)離子半徑比分別為047、036和040,則A1203和CR23形成連續(xù)固溶體。A這個(gè)結(jié)果可能嗎為什么B試預(yù)計(jì),在MGOCR2O3系統(tǒng)中的固溶度是有限的還是無限的為什么22、某種NIO是非化學(xué)計(jì)量的,如果NIO中NI3NI2104,問每M3中有多少載流子。
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    • 簡介:單項(xiàng)選擇題第1章原子結(jié)構(gòu)與鍵合1高分子材料中的CH化學(xué)鍵屬于。(A)氫鍵(B)離子鍵(C)共價(jià)鍵2屬于物理鍵的是。(A)共價(jià)鍵(B)范德華力(C)離子鍵3化學(xué)鍵中通過共用電子對形成的是。(A)共價(jià)鍵(B)離子鍵(C)金屬鍵第2章固體結(jié)構(gòu)4以下不具有多晶型性的金屬是。(A)銅(B)錳(C)鐵5FCC、BCC、HCP三種單晶材料中,形變時(shí)各向異性行為最顯著的是。(A)FCC(B)BCC(C)HCP6與過渡金屬最容易形成間隙化合物的元素是。(A)氮(B)碳(C)硼7面心立方晶體的孿晶面是。(A)112(B)110(C)1118以下屬于正常價(jià)化合物的是。(A)MG2PB(B)CU5SN(C)FE3C第3章晶體缺陷9在晶體中形成空位的同時(shí)又產(chǎn)生間隙原子,這樣的缺陷稱為。(A)肖特基缺陷(B)弗侖克爾缺陷(C)線缺陷10原子遷移到間隙中形成空位間隙對的點(diǎn)缺陷稱為。(A)肖脫基缺陷(B)FRANK缺陷(C)堆垛層錯11刃型位錯的滑移方向與位錯線之間的幾何關(guān)系是(A)垂直(B)平行(C)交叉12能進(jìn)行攀移的位錯必然是。(A)刃型位錯(B)螺型位錯(C)混合位錯13以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孿晶銅(B)中碳鋼(C)亞共晶鋁硅合金14大角度晶界具有____________個(gè)自由度。(A)3(B)4(C)5第4章固體中原子及分子的運(yùn)動15菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征,即濃度不隨變化。(A)距離(B)時(shí)間(C)溫度16在置換型固溶體中,原子擴(kuò)散的方式一般為。(A)原子互換機(jī)制(B)間隙機(jī)制(C)空位機(jī)制17固體中原子和分子遷移運(yùn)動的各種機(jī)制中,得到實(shí)驗(yàn)充分驗(yàn)證的是(A)間隙機(jī)制(B)空位機(jī)制(C)交換機(jī)制18原子擴(kuò)散的驅(qū)動力是。(42非授課內(nèi)容)(A)組元的濃度梯度(B)組元的化學(xué)勢梯度(C)溫度梯度34再結(jié)晶晶粒長大的過程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界遷移的直接原因,晶界總是向著______________方向移動(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直35開始發(fā)生再結(jié)晶的標(biāo)志是(A)產(chǎn)生多變化(B)新的無畸變等軸小晶粒代替變形組織(C)晶粒尺寸顯著增大36在純銅基體中添加微細(xì)氧化鋁顆粒屬于。(A)復(fù)合強(qiáng)化(B)析出強(qiáng)化(C)固溶強(qiáng)化37在純銅基體中添加鋁或錫、鎳等微量合金元素屬于。(A)復(fù)合強(qiáng)化(B)析出強(qiáng)化(C)固溶強(qiáng)化38在純鋁的凝固過程中添加ALTIB細(xì)化劑屬于。(A)復(fù)合強(qiáng)化(B)晶粒細(xì)化(C)固溶強(qiáng)化第6章單組元相圖及純晶體的凝固39凝固時(shí)在形核階段,只有核胚半徑等于或大于臨界尺寸時(shí)才能成為結(jié)晶的核心,當(dāng)形成的核胚半徑等于臨界半徑時(shí),體系的自由能變化。(A)大于零(B)等于零(C)小于零40以下材料中,結(jié)晶過程中以非小平面方式生長的是。(A)金屬鍺(B)透明環(huán)己烷(C)氧化硅41以下材料中,結(jié)晶過程中以小平面方式生長的是。(A)金屬鍺(B)銅鎳合金(C)金屬鉛42形成臨界晶核時(shí)體積自由能的減少只能補(bǔ)償表面能的。(A)13(B)23(C)1443鑄錠凝固時(shí)如大部分結(jié)晶潛熱可通過液相散失時(shí),則固態(tài)顯微組織主要為。(A)樹枝晶(B)柱狀晶(C)胞狀晶44凝固時(shí)不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪種方法(A)加入形核劑(B)減小液相過冷度(C)對液相實(shí)施攪拌第7章二元系相圖及其合金的凝固45對離異共晶和偽共晶的形成原因,下述說法正確的是。(A)離異共晶只能經(jīng)非平衡凝固獲得(B)偽共晶只能經(jīng)非平衡凝固獲得(C)形成離異共晶的原始液相成分接近共晶成分46在二元系合金相圖中,計(jì)算兩相相對量的杠桿法則用于。(A)單相區(qū)中(B)兩相區(qū)中(C)三相平衡水平線上47二元系合金中兩組元部分互溶時(shí),不可能發(fā)生。(A)共晶轉(zhuǎn)變(B)勻晶轉(zhuǎn)變(C)包晶轉(zhuǎn)變48任一合金的有序結(jié)構(gòu)形成溫度無序結(jié)構(gòu)形成溫度。(A)低于(B)高于(C)可能低于或高于49FCC、BCC、HCP三種單晶材料中,形變時(shí)各向異性行為最顯著的是。(A)FCC(B)BCC(C)HCP50與過渡金屬最容易形成間隙化合物的元素是。(A)氮(B)碳(C)硼
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    • 簡介:材料科學(xué)基礎(chǔ)輔導(dǎo)與習(xí)題第三版材料科學(xué)基礎(chǔ)輔導(dǎo)與習(xí)題第三版共7篇材料科學(xué)基礎(chǔ)習(xí)題三1下圖為AB二元相圖,請指出1水平線上反應(yīng)的性質(zhì);2各區(qū)域的組織組成物;3分析合金I,II的冷卻過程;4合金工,II室溫時(shí)組織組成物的相對量表達(dá)式。2下圖為FEFE3C相圖,試1解釋圖中各相區(qū)、特性點(diǎn)和特性線的意義是什么2比較WC=,的合金平衡狀態(tài)下的結(jié)晶過程和室溫組織有何不同,并計(jì)算組織相對含量。3指出并解釋馬氏體相變的特征。4利用相律辨別下圖中各相圖是否正確,并說明原因。5考慮在一個(gè)大氣壓下液態(tài)鋁的凝固,對于不同程度的過冷度,即ΔT1,10,100和200℃,計(jì)算A臨界晶核尺寸;B半徑為R的晶核個(gè)數(shù);C從液態(tài)轉(zhuǎn)變到固態(tài)時(shí),單位體積的自由能變化Δ第三章習(xí)題解答3,7,10,11,253113、非化學(xué)計(jì)量化合物有何特點(diǎn)為什么非化學(xué)計(jì)量化合物都是N型或P型半導(dǎo)體材料解答非化學(xué)計(jì)量化合物的特點(diǎn)非化學(xué)計(jì)量化合物產(chǎn)生及缺陷濃度與氣氛性質(zhì)、壓力有關(guān);可以看作是高價(jià)化合物與低價(jià)化合物的固溶體;缺陷濃度與溫度有關(guān),這點(diǎn)可以從平衡常數(shù)看出;非化學(xué)計(jì)量化合物都是半導(dǎo)體。由于負(fù)離子缺位和間隙正離子使金屬離子過剩,產(chǎn)生金屬離子過剩半導(dǎo)體,正離子缺位和間隙負(fù)離子使負(fù)離子過剩,產(chǎn)生負(fù)離子過剩半導(dǎo)體。6113、說明下列符號的含義解答鈉原子空位,鈉離子空位、帶一個(gè)單位負(fù)電荷,氯離子空位、帶一個(gè)單位正電荷,最鄰近的NA空位、CL空位形成的締合中心,CA2占據(jù)K位置、帶一個(gè)單位正電荷,CA原子位于CA原子位置上,CA2處于晶格間隙位置。17113、寫出下列缺陷反應(yīng)式NACL溶入CACL2中形成
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    • 簡介:畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)論文題目論文題目反應(yīng)條件對反應(yīng)條件對SOLGEL合成鋯英石的影響合成鋯英石的影響英文題目英文題目INFLUENCEOFTHEREACTIONCONDITIONONPREPARATIONOFZRSIO4BYSOLGEL學(xué)院院化學(xué)生物與材料科學(xué)學(xué)院化學(xué)生物與材料科學(xué)學(xué)院專業(yè)業(yè)材料科學(xué)與工程材料科學(xué)與工程學(xué)號號07057125學(xué)生姓名學(xué)生姓名指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)ABSTRACTIABSTRACTTHESAFEDISPOSITIONOFHIGHLEVELRADIOACTIVEWASTEISAGLOBALPROBLEMFTHENUCLEARDEVELOPMENTSINCETHETECHNICALISVERYDIFFICULTTHERESEARCHCYCLEISLONGER,ITREFERSTODIFFERENTSUBJECTSINCLUDINGGEOLOGYCHEMISTRYMATERIALSOTHERSASTHEFIRSTARTIFICIALBARRIEROFDEEPGEOLOGICALDISPOSALOFHLWTHESTABILITYOFIMMOBILIZATIONHASIMPTANTINFLUENCEONDISPOSALREPOSITYTHISPAPERSYNTHESIZESZIRCONBYSOLGELWEDICUSSSOLGELREACTIONCONDITIONSHOWTOINFLUENCETHEPREPARATIONOFPRECURSTESTINGTHEPHYSICALCHEMICALPROPERTIESOFZIRCONSAMPLESUSEXRDEPMATOANALYSISETHEDIFFERENTPHASECOMPOSITIONMINERALCOMPOSITIONOFSEVERALGROUPSOFZIRCONSAMPLESTHEEXPERIMENTALCONDITIONSFZIRCONPRECURSISAMOUNTOFWATER30MLPH2~3THEPHASEOFSAMPLEWASHEDBYAMMONIAISFMOFBADDELEYITEZRO2ZIRCONZRSIO4THEOTHERPHASE(SIO2)ANOTHERWITHOUTWASHINGONLYINCLUDESBADDELEYITEZRO2THEMAINCOMPOSITIONSOFTWOSAMPLESAREMAINLYCOMPOSEDWITHZRO2SIO2ZRO2ISTHEMAINCONTENTKEYWDSZIRCON、SOLGEL、REACTIONCONDITION
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