外場中一維多勢壘結構電導計算.pdf

1、本論文對GaAs/Ga0.5 Al0.5 As超晶格在有和無外場作用下的共振傳輸問題，以及GaAs/Ga0.5Al0.5As超晶格各參數(shù)對單位面積電導的影響進行了研究。
　　第一章，系統(tǒng)介紹了半導體超晶格的電子態(tài)和在外場中中的研究狀況，超晶格量子阱的物理器件及近期發(fā)展。.
　　第二章，主要介紹了本論文所用的多勢壘結構模型，有無外場情況下的透射系數(shù)及單位面積電導的理論計算。.
　　第三章，我們研究了GaAs/Ga0.5

2、Al0.5 As超晶格各參數(shù)對電子在有無外場條件下一維多勢壘結構中的透射系數(shù)的影響。透射系數(shù)與入射電子能量曲線中的共振能量對應于勢阱中的準束縛能級，同時，共振能量間距即為準束縛能級間的間距。分別闡述了有效質(zhì)量、勢壘寬度、勢壘個數(shù)與多勢壘結構的透射共振之間的關系。及外加偏壓對準束縛能級的影響。
　　第四章，計算和分析了在溫度T→0K和T＞OK的單位面積電導與外加偏壓的關系。我們發(fā)現(xiàn)溫度對電導與偏壓的特性曲線基本無影響，只是電導隨溫度