過渡元素負(fù)離子與氪氣氙氣碰撞過程實(shí)驗(yàn)及理論研究.pdf

1、對(duì)負(fù)離子與原子分子碰撞電子脫附實(shí)驗(yàn)研究不僅能為“電子關(guān)聯(lián)”理論的研究提供必不可少的實(shí)驗(yàn)依據(jù)，還可以對(duì)天文物理學(xué)、等離子物理、地球電離層物理等領(lǐng)域的研究提供重要的參數(shù)。本論文主要內(nèi)容為對(duì)過渡元素負(fù)離子與惰性氣體Kr、Xe碰撞過程單電子脫附截面的實(shí)驗(yàn)測(cè)量和理論計(jì)算。主要工作如下:
　　一、利用基于MCP的位置靈敏探測(cè)器，采用增長率方法測(cè)量了10～30keV能量范圍內(nèi)過渡元素Ti-、Fe-、Co-、Ni-、Cu-、Ag-、Au-、Rh-

2、、Ir-等負(fù)離子與氪氣、氙氣碰撞過程的單電子脫附截面。通過測(cè)量上述負(fù)離子與氪氣、氙氣碰撞的單電子脫附截面，填補(bǔ)了這些元素與這段能區(qū)在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)上的空白。將這些實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和以前與Ar碰撞單電子脫附截面對(duì)比后，發(fā)現(xiàn)負(fù)離子的單電子脫附截面都隨入射離子速度的增加而增大，影響電子脫附截面的因素除了已知的電子的親和能(E)，參與脫附過程的電子數(shù)目(n)或者電子結(jié)構(gòu)，負(fù)離子半徑(R)及負(fù)離子速度（vp）以外，負(fù)離子與靶原子之間的質(zhì)量關(guān)系也在影響著電子的脫