有機半導體遷移率公式的改進及應用的研究.pdf

1、近些年來，有機化合物包括小分子和π-電子共軛聚合物由于在平板顯示與照明領域潛在應用前景得到突飛猛進的發(fā)展。為了提高有機發(fā)光器的穩(wěn)定性和效率，應使電子和空穴的注入達到平衡，這就要求電極材料的功函數(shù)與電致發(fā)光材料的能級相匹配。人們采用多層的結構在有機電致發(fā)光器件中引入電子傳輸層(ETL)或空穴傳輸層(HTL)，形成多層結構器件，有助于電子和空穴注入的平衡，電子和空穴的注入較為平衡，從而提高在發(fā)光層中的復合幾率及發(fā)光量子效率。 但由于

2、發(fā)光材料為非晶態(tài)結構，以晶態(tài)材料的能帶結構理論為基礎的有機發(fā)光理論存在許多不足。因此，圍繞器件發(fā)光機制的理論研究是目前的一項重要課題。有機發(fā)光理論涉及載流子注入、遷移、復合、光輸出等多個過程，理論研究中，很難得出問題的解析解。許多研究者在不同的簡化條件下得到相應問題的數(shù)值解，從不同角度對實驗結果給出了比較好的解釋。利用這些簡化模型，可以預測某些實驗不易實現(xiàn)的現(xiàn)象，從而給材料合成和器件結構選擇以理論指導。 本文主要從有機半導體的載

3、流子遷移率入手，基于高斯模型，在前人對載流子影響因素分析的前提下，進行總結和改進，提出自己的方法和公式。 我們得到的主要結果如下： (1)對Pasveer W F等人提出的關于濃度、電場、溫度的空穴載流子遷移率公式進行改進，運用高斯模型，Arrhenius關系的遷移率公式。同時我們還采用公式對具體材料進行分析，得出了與實驗值非常吻合的結果。 (2)對材料中所選擇的高斯寬度σ、晶格常數(shù)α、遷移率系數(shù)μ0這三個參數(shù)值