摻錫鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)及其光折變性能研究.pdf

1、鈮酸鋰(LiNbO3)晶體是一種集電光、聲光、彈光、鐵電、壓電、非線性、光折變等各種效應(yīng)于一身的人工晶體,特別是在實(shí)施不同摻雜后,呈現(xiàn)出不同的物理性能,是目前光子學(xué)性能最多、綜合指標(biāo)最好的人工晶體,被認(rèn)為是“光學(xué)硅”的主要候選材料之一。目前,鈮酸鋰晶體抗光折變性能的最大突破在于四價(jià)摻雜。Hf4+、Zr4+被報(bào)道是一類新的抗光折變摻雜離子,同為IVB的Hf4+、Zr4+具有摻雜閾值低,抗光折變能力強(qiáng),容易生長(zhǎng)的特點(diǎn)。我們選取IVA離子Sn

2、4+為研究對(duì)象,在LiNbO3中摻入適當(dāng)濃度的Sn4+,研究晶體是否具有優(yōu)于二價(jià)鎂和鋅,三價(jià)鈧和銦,以及四價(jià)鉿和鋯的抗光折變性能。
　　 第一章,先介紹鈮酸鋰晶體的一些基本物理性質(zhì),綜述鈮酸鋰晶體的缺陷結(jié)構(gòu)模型,以及各種摻雜鈮酸鋰晶體的特點(diǎn)。
　　 第二章,介紹提拉法制備名義純鈮酸鋰晶體的方法和優(yōu)點(diǎn),并利用該方法制備了摻氧化錫濃度分別為1.0、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0和5.0mol％的晶體。
　　

3、第三章,采用光斑畸變法和全息法測(cè)試LiNbO3:Sn晶體的抗光損傷閾值為4.80x105W/cm2,通過研究晶體的紅外和紫外到可見吸收譜確定了晶體的摻雜閾值濃度為2.5mol％,并通過熒光光譜實(shí)驗(yàn)來研究了錫在鈮酸鋰晶體中的分凝系數(shù)。
　　 第四章,研究了錫鐵雙摻鈮酸鋰晶體的紫外光折變性能,討論四價(jià)錫在錫鐵雙摻鈮酸鋰中的占位情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,錫鐵雙摻鈮酸鋰晶體是一種很好的全息存儲(chǔ)材料。
　　 第五章,總結(jié)了整篇論文的研究