導納譜應用于測量半導體中淺能極的研究.pdf

1、本文重點研究如何利用導納譜測量半導體中的淺能級。
　　 第一部分主要研究與分析利用導納譜測量半導體中淺能級的理論模擬計算。導納譜是一種很強大的電學測量方法,在77K-300K溫度范圍內,通常被運用于測量半導體中的深能級,但是在利用導納譜測量淺能級方面至今沒有很系統(tǒng)的研究。本文的目的就是想通過淺能級導納譜曲線的理論模擬,確定一種分析淺能級的最佳方法。在理論模擬中,所采用的統(tǒng)一模型中同時考慮了肖特基勢壘電容和襯底電阻的變化對導納譜的

2、貢獻。最后,通過分析理論模擬的曲線,確定了ωr=A·exp(-Ea/k0T)(A是一個與溫度無關的常數(shù))為最佳的分析方法,同時對于硼和磷的實驗數(shù)據的計算分析也表明了這種方法的正確性。
　　 第二部分重點研究了利用導納譜測量半導體中淺能級的塞曼效應。以往,半導體中淺能級的塞曼效應基本上都是靠光學方法測量的,而且光學方法測量的也只是基態(tài)能級和激發(fā)態(tài)能級之間的躍遷,而利用光學測量基態(tài)能級與價帶之間的躍遷比較麻煩,同時要求測量溫度很低,