靜電放電抗擾度測試平臺輻射場研究.pdf

1、高速、高集成度的微電子器件的廣泛應(yīng)用，使得現(xiàn)代電子設(shè)備(系統(tǒng))對靜電放電敏感度大幅度提高，因而有必要對電子設(shè)備(系統(tǒng))進(jìn)行ESD抗擾度試驗(yàn)。國際電工委員會發(fā)布了靜電放電抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2，但標(biāo)準(zhǔn)中僅定義了放電電流波形的幾個特征參數(shù)，卻還沒有關(guān)于ESD瞬變輻射場的明確規(guī)定。 本文基于IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的ESD抗擾度試驗(yàn)平臺，對試驗(yàn)平臺空間中的輻射電磁場進(jìn)行了數(shù)值分析與研究。在數(shù)值分析中，電流源取

2、基于脈沖函數(shù)的電流波形表達(dá)式，通過將電流源(激勵源)看作有源麥克斯韋方程的一項(xiàng)，自然地將電流源插入到了FDTD網(wǎng)格之中，與其他點(diǎn)相比，源點(diǎn)處具有不同的差分格式，在此基礎(chǔ)上，計(jì)算了兩種間接放電情形下耦合板附近輻射場分布情況。文中首先研究了對水平耦合板(HCP)放電情形，在HCP板上方選取了部分典型場點(diǎn)，通過Matlab對各場點(diǎn)電磁場進(jìn)行了計(jì)算，得到了電磁場時域波形，并分析了電磁場時域特性及空間分布情況，同時還對不同放電電壓下電磁場分布做了

3、比較研究；另一種放電情形是指對垂直耦合板(VCP)的放電，文中選取了VCP板前方10cm處的平面上部分場點(diǎn)和HCP板上方部分場點(diǎn)，對其電磁場進(jìn)行了計(jì)算，分析了電磁場時域特性及空間分布情況，同時也研究了在不同放電電壓下電磁場的變化情況，并就兩種放電情形下，距離放電點(diǎn)10cm處的電磁場作了比較分析。 文中還進(jìn)行了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)分析與研究，實(shí)驗(yàn)在滿足標(biāo)準(zhǔn)要求的抗擾度試驗(yàn)平臺上進(jìn)行。模擬器采用人體-金屬模型放電網(wǎng)絡(luò)，放電電壓選取了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的