低維納米體系中光輸運性質(zhì)的研究.pdf

1、近年來，以超晶格、量子線等為代表的低維量子結(jié)構(gòu)中的光學性質(zhì)引起了人們廣泛的關(guān)注，是凝聚態(tài)物理領(lǐng)域中的一個研究熱點。本文對含結(jié)構(gòu)缺陷的超晶格中的等離激元模和光的傳輸性質(zhì)進行了比較深入的研究。 在界面響應(yīng)理論下，利用麥克斯韋方程和Bloch定理相結(jié)合，研究了含包覆層的半無限超晶格中局域等離激元模的性質(zhì)。計算結(jié)果表明，局域等離激元模不僅出現(xiàn)在微帶的上方或下方，而且還出現(xiàn)在微帶中間，完整呈現(xiàn)了等離激元模從擴展模向局域模演變發(fā)展的過程，這

2、是因為各種參數(shù)的變化導致了包覆層與超晶格之間能量的不同耦合；將之推廣于左手材料中，發(fā)現(xiàn)包覆層為左手材料會導致更多模的出現(xiàn)或消失。研究表明通過控制包覆層和超晶格各組分層的結(jié)構(gòu)參數(shù)可以很好地調(diào)控等離激元的性質(zhì)。 利用轉(zhuǎn)移矩陣方法，研究了光波在含Thue-Morse缺陷的周期超晶格中的傳輸特性。比較了Thue-Morse缺陷由右手材料組成和由左右手材料組成的兩種情況下，Thue-Morse缺陷的階數(shù)、入射角等因素對周期超晶格輸運譜的影