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1、氮化銅(Cu3N)作為一種可應(yīng)用于光存儲(chǔ)器和高速集成電路的新材料,已然成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。Cu3N是一種具有較高電阻率、較低熱分解溫度的亞穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體材料,其晶體為反三氧化錸(anti-ReO3)型立方體結(jié)構(gòu),N原子分布在立方晶體的頂點(diǎn)處,Cu原子分布在立方晶體棱邊的中心處并以共價(jià)鍵形式與N原子結(jié)合。Cu3N的結(jié)構(gòu)很特殊,因?yàn)镃u原子未占據(jù)晶胞的體心位置,所以其立方體結(jié)構(gòu)中存在許多空位,當(dāng)其他原子填充到這些空位時(shí),其性質(zhì)將會(huì)發(fā)生顯著的變化。
2、
本論文的中心點(diǎn)是利用以密度泛函理論為基礎(chǔ)的第一性原理計(jì)算方法,通過WIEN2k軟件,對(duì)Cu3N和稀土原子摻雜Cu3N(Cu3NM)進(jìn)行系統(tǒng)的理論計(jì)算,M分別為Sc,Y,La及其他鑭系稀土金屬。本文利用Cu3N和Cu3NM晶胞結(jié)構(gòu)優(yōu)化后得到的晶格常數(shù)創(chuàng)建最優(yōu)結(jié)構(gòu),計(jì)算了Cu3N和Cu3NM的結(jié)構(gòu)、電學(xué)、彈性以及光學(xué)等性質(zhì)。在摻雜原子M中,Sc,Y,La屬于同一族,La及其他鑭系稀土金屬的核外電子排布基本相似,只是4f電子數(shù)的增
3、加,為了分析同一族和4f電子數(shù)增加對(duì)Cu3N性質(zhì)的不同影響,本文分別分析了Cu3NM1(M1=Sc,Y和La)和Cu3NM2(M2=鑭系稀土金屬)的各種性質(zhì),結(jié)果表明:
?。?)Cu3N被M1(M1=Sc,Y和La)原子摻雜在體心空位后,其晶格常數(shù)變大。電學(xué)性質(zhì)分析結(jié)果表明Cu3N經(jīng)M1原子摻雜后由間接帶隙半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體,在Cu3N結(jié)構(gòu)中占主導(dǎo)地位的Cu原子3d軌道與N原子2p軌道之間的雜化作用,被M1原子的d軌道作用弱化,演
4、變成Cu原子3d軌道與M1原子d軌道相互作用為主導(dǎo)。體彈模量和彈性參數(shù)的計(jì)算值符合機(jī)械穩(wěn)定性標(biāo)準(zhǔn),說明所研究化合物都是機(jī)械穩(wěn)定的。光學(xué)性質(zhì)分析結(jié)果表明M1原子摻雜促使Cu3N所有的光學(xué)譜都發(fā)生了藍(lán)移現(xiàn)象;Cu3N和Cu3NM1的形成能結(jié)果顯示Cu3NM1的形成能相比Cu3N的更小,即M1原子摻雜促使Cu3N更加穩(wěn)定。
?。?)M2(M2=鑭系稀土金屬)原子摻在Cu3N的體心空位后對(duì)其性質(zhì)有很大的影響。M2原子摻雜后,Cu3N的體
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