大氣壓窄間隙DBD等離子體源與應(yīng)用基礎(chǔ)研究.pdf

1、該文結(jié)合國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目"超強(qiáng)電場(chǎng)放電離解氣體分子及應(yīng)用研究"(項(xiàng)目編號(hào):69871002),針對(duì)影響DBD放電性能的關(guān)鍵因素,提出了利用窄間隙DBD實(shí)現(xiàn)大氣壓條件下強(qiáng)電離放電的方法,并對(duì)其放電特性、所用電介質(zhì)材料性能、診斷方法及應(yīng)用進(jìn)行了研究.通過該文的研究,不但弄清了大氣壓窄間隙DBD等離子體形成與演變機(jī)理,而且也解決了大氣壓窄間隙DBD等離子體源研制與應(yīng)用過程中存在的許多技術(shù)難題.采用窄間隙薄電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)DBD的寬

2、間隙結(jié)構(gòu);采用高頻高壓激勵(lì)電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)的50Hz 工頻高壓激勵(lì)電源;采用含量高于95﹪的氧化鋁瓷代替普通的硼硅酸鹽玻璃,大幅度地提高了放電間隙電場(chǎng)強(qiáng)度與電離區(qū)占空比,實(shí)現(xiàn)了大氣壓條件下的強(qiáng)電離放電.對(duì)大氣壓窄間隙DBD等離于體一維形貌演變過程的研究結(jié)果顯示,電介質(zhì)層是影響DBD等離子體形貌演變的關(guān)鍵因素.同時(shí)也證實(shí)在大氣壓條件下利用以氮?dú)饣蚩諝鉃殡婋x介質(zhì)的DBD觀察到的所謂"輝光放電"并不是真正的輝光放電,而只是貌似輝光的準(zhǔn)連續(xù)放電,是