版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、分類號:分類號:O571.33密級:密級:公開公開研究生學(xué)位論文論文題目(中文)論文題目(中文)氫、氦、氦離子離子注入鎢中氣泡注入鎢中氣泡的形成的形成及演化及演化行為研究行為研究論文題目(外文)論文題目(外文)Investigationofbubblesbehaviintungstenbyhydrogenheliumimplantation研究生姓名研究生姓名徐曉輝徐曉輝學(xué)科、專業(yè)學(xué)科、專業(yè)物理學(xué)物理學(xué)粒子物理粒子物理與原子核物理與原子
2、核物理研究方向研究方向射線射線與物質(zhì)相互作用與物質(zhì)相互作用學(xué)位級別學(xué)位級別碩士導(dǎo)師姓名、職稱導(dǎo)師姓名、職稱王鐵山王鐵山教授教授論文工作論文工作起止年月起止年月20142014年9月至月至20172017年6月論文提交日期論文提交日期20172017年5月論文答辯日期論文答辯日期20172017年5月學(xué)位授予日期學(xué)位授予日期校址:甘肅省蘭州市校址:甘肅省蘭州市I氫、氦、氦離子離子注入鎢中氣泡注入鎢中氣泡的形成的形成及演化行為研究及演化行為
3、研究中文摘要中文摘要隨著國際熱核聚變實驗堆(InternationalThermonuclearExperimentalReact,ITER)項目的啟動,聚變能的開發(fā)利用已成為國際上的一大趨勢,而鎢基材料由于具備高熔點、低氫同位素溶解度以及低濺射率等優(yōu)點被選為聚變堆第一壁部件偏濾器的候選材料。然而,在聚變堆運行過程中,第一壁材料必然會遭受長時間載能氫、氦離子的輻照,對材料的性能及使用壽命產(chǎn)生不利影響,例如材料面臨的氫脆、氦脆等問題。因此
4、,研究氫、氦離子在鎢基材料中的行為,對聚變堆面向等離子體材料的研發(fā)是至關(guān)重要的。為研究氫、氦氣泡的形成及其演化行為,本研究主要采用離子注入的方式將氫、氦離子注入到金屬鎢中,利用透射電子顯微鏡(TransmissionElectronMicroscope,TEM)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope,SEM)等觀測手段對注入后的微觀形貌變化進行表征,研究了鎢中氣泡的行為與注入劑量、束流強度、離子能量和退火
5、溫度的關(guān)系;同時,為了得到氦離子注入后所形成微觀結(jié)構(gòu)的內(nèi)部信息,本實驗對輻照后的樣品進行了聚焦離子束(FocusedIonBeam,F(xiàn)IB)切割;最后,討論了電解拋光與機械拋光對于樣品表面的損傷情況。通過這一系列的工作得到以下幾條結(jié)論:(1)室溫下,能量為18keV的H3注入到鎢的薄膜樣品中,當(dāng)注入劑量達到1.51018ionscm2時出現(xiàn)了實驗上可觀測到的氫氣泡,直徑約1.0nm,并隨著注入劑量的增加而長大;(2)在注入劑量一定的情況
6、下,鎢中氫氣泡的尺寸隨著輻照時束流密度的升高而增大,最終趨于穩(wěn)定;(3)真空快速退火結(jié)果表明:退火溫度為400℃時,氣泡大小并沒有明顯變化,當(dāng)退火溫度升高到600℃時,氣泡開始生長,而且隨著溫度的持續(xù)升高尺寸變化更加顯著。(4)初步實驗表明:5keV能量的氫離子注入時,所產(chǎn)生氣泡的平均直徑較小,而隨著能量的升高,氣泡尺寸有增大趨勢,而當(dāng)氫離子能量超過7.5keV后,氣泡大小幾乎不再變化。(5)為了研究氦離子對多晶鎢的影響,利用能量為18
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 鎢的表面納米化及鎢、碳化硅氦離子注入研究.pdf
- 關(guān)于氫氦同軸離子注入機離子源的研究.pdf
- 離子注入碳后鈾表面吸附行為研究.pdf
- 復(fù)合離子注入形成SOI結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)和性能的研究.pdf
- 氦和氫在鎢中行為的分子動力學(xué)模擬.pdf
- 先進離子注入機的應(yīng)用及研究.pdf
- 碳化硅離子注入及歐姆接觸研究.pdf
- 水電解制氫中氣泡生長及磁場對氣泡行為和兩相流動特性影響.pdf
- 半導(dǎo)體工藝--離子注入
- 氮離子注入誘變小麥的研究.pdf
- 離子注入雜質(zhì)在氧化物晶體中的行為研究.pdf
- 氦和氫離子注入含表面絕緣層單晶硅引起的損傷及發(fā)光性質(zhì)研究.pdf
- 碳化硅離子注入及歐姆接觸的研究.pdf
- 鋯合金帶電離子輻照效應(yīng)及氦泡演化行為研究.pdf
- 等離子體源離子注入過程中離子動力學(xué)演化數(shù)值模擬.pdf
- 低能離子注入番茄生物效應(yīng)的初步研究.pdf
- 離子注入光波導(dǎo)的數(shù)值分析研究.pdf
- 離子注入SiC的射程分布及損傷的研究.pdf
- 光皮樺離子注入誘變育種研究.pdf
- 離子注入SGG和CBN波導(dǎo)的特性研究.pdf
評論
0/150
提交評論