太赫茲波對金屬共振環(huán)的透射和吸收特性的影響.pdf

1、本文利用時域光譜系統(tǒng)研究了太赫茲波段內金屬共振環(huán)結構的透射和吸收特性,對共振吸收現(xiàn)象進行了較系統(tǒng)的探討,對影響共振峰位置的因素進行了較細致的比較。 太赫茲輻射照射到金屬共振環(huán)結構表面時,電矢量與磁矢量會使共振環(huán)產生電響應與磁響應,造成特定頻率的透射和吸收現(xiàn)象。共振環(huán)自身具有特定的固有頻率,所以也會產生固有頻率的吸收。本文主要研究了太赫茲電波矢與磁波矢對共振環(huán)結構透射及吸收特性的影響。具體工作如下：(1)改變狹縫的放置方向,研究不

2、同傳播模式下的太赫茲透射和吸收特性；(2)改變太赫茲電波矢與樣品平面的角度,研究結構透射和吸收情況的變化；(3)改變太赫茲磁波矢與樣品平面的角度,研究磁波矢對結構的影響。(4)研究激勵光對共振環(huán)基底的影響。得到的結論主要有：(1)金屬共振環(huán)結構具有各向異性特性。狹縫的放置方向決定了太赫茲波在樣品內的傳播模式：(2)電波矢的改變會造成不同的偶極振蕩模式,從而影響吸收位置；而金屬共振壞結構的固有頻率只與結構的尺寸有關,不受傳播模式的影響；(

3、3)垂直于樣品平面的磁波矢會造成共振環(huán)的磁響應現(xiàn)象,使吸收強度增加；磁波矢在樣品面內的減小也造成了共振環(huán)透射峰的頻移。(4)在激勵光的作用下,共振環(huán)結構的諧振性相應減弱；而半導體的載流子濃度直接影響了它對激勵光的敏感性。 本文的創(chuàng)新點在于：在研究太赫茲電磁場對共振環(huán)透射影響的過程中,我們發(fā)現(xiàn)改變電波矢會導致透射能量發(fā)生頻移,并對此現(xiàn)象進行了理論解釋；而磁波矢的變化會造成透射峰頻率的變化。 本文探討了太赫茲電磁場對共振環(huán)結