金屬納米結(jié)構(gòu)的制備和輸運(yùn)特性研究.pdf

1、金屬納米結(jié)構(gòu)以其特有的優(yōu)勢(shì)和引人注目的應(yīng)用前景，成為當(dāng)前科學(xué)研究的一大熱點(diǎn)。本文研究了生長條件對(duì)金屬薄膜質(zhì)量的影響，利用微納米加工技術(shù)制備了高質(zhì)量的納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，并對(duì)其輸運(yùn)特性進(jìn)行了研究。
　　 首先，采用真空蒸鍍系統(tǒng)，通過改變生長參數(shù)，制備了一系列金屬Au、Ag薄膜，并用原子力顯微鏡對(duì)樣品進(jìn)行了表征。通過分析比較，得到薄膜生長過程中真空度、生長速度、過渡層、襯底以及薄膜厚度等生長條件對(duì)薄膜質(zhì)量的影響，并確定了高質(zhì)量金屬薄膜的

2、優(yōu)化生長條件。
　　 其次，采用磁控濺射和熱蒸發(fā)沉積薄膜方法，配合電子束曝光技術(shù)，通過溶脫和刻蝕工藝，制備了坡莫合金納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。采用磁控濺射方法制備的坡莫合金薄膜表面致密，粒徑較小；而熱蒸發(fā)制備的薄膜表面平整，粒徑較大，但是薄膜組分比磁控濺射薄膜更加接近源材料。通過對(duì)制備工藝摸索，得到了制備高質(zhì)量納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)的條件，應(yīng)用熱蒸發(fā)沉積薄膜和溶脫工藝即可得到高質(zhì)量的納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)；而對(duì)于磁控濺射方法制備薄膜，需要采用刻蝕工藝才能