氫化非晶碳（a-C：H）薄膜的微結(jié)構(gòu)與其血液相容性的研究.pdf

1、采用磁過(guò)濾真空濺射離子沉積系統(tǒng)制備含氫的非晶碳(a-C：H)薄膜，研究襯底偏壓、微結(jié)構(gòu)與其血液相容性的關(guān)系，以及退火對(duì)其性能的影響。c采用磁過(guò)濾真空離子濺射沉積系統(tǒng)，制備氫化非晶碳(a-C：H)薄膜，通過(guò)調(diào)節(jié)襯底偏壓，改變沉積離子的能量，從而改變薄膜的微結(jié)構(gòu)，得到sp3/sp2C比例不同的薄膜。然后選擇sp3C含量最高的-20V樣品進(jìn)行不同溫度和時(shí)間的退火處理，以便研究襯底偏壓和退火處理對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)和血液相容性的影響。 a-C：

2、H薄膜的微結(jié)構(gòu)和sp2、sp3含量分別通過(guò)紫外-可見(jiàn)吸收光譜(UV)、拉曼光譜(Raman)和電子能量損失譜(EELS)作定性和定量分析。血液相容性通過(guò)動(dòng)態(tài)凝血實(shí)驗(yàn)、血小板粘附實(shí)驗(yàn)、凝血酶原時(shí)間測(cè)定實(shí)驗(yàn)進(jìn)行評(píng)估。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，襯底偏壓是決定a-C：H薄膜中sp2、sp3含量的關(guān)鍵因素，也同樣影響著薄膜的血液相容性。-20V偏壓下制備的薄膜中sp3含量最高，血液相容性也最好。 退火對(duì)a-C：H薄膜性能的影響是通過(guò)紫外-可見(jiàn)吸收光譜