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文檔簡(jiǎn)介
1、近年來(lái),利用化學(xué)鍍法在高聚物表面金屬化技術(shù),因?yàn)槠洳僮鞯暮?jiǎn)單性被廣泛應(yīng)用。隨著微流控分析系統(tǒng)和微電子領(lǐng)域的快速發(fā)展,通過(guò)高聚物表面局部區(qū)域金屬化制備金屬微器件的工作引起越來(lái)越多人的關(guān)注。
本文研究在高聚物基片上以區(qū)域選擇性化學(xué)鍍制備金屬微電極的方法,技術(shù)和原理,并將用該法制備得到的金膜微電極應(yīng)用于電化學(xué)物質(zhì)的檢測(cè)。
第一章,對(duì)高聚物表面金屬化的發(fā)展以及通過(guò)區(qū)域化學(xué)鍍技術(shù)在高聚物表面制備微器件的工作進(jìn)行了評(píng)述。
2、
第二章,研究了以紫外光照定位與Ag+活化相結(jié)合在聚碳酸酯(PC)表面制備金屬微電極的方法,技術(shù)及相關(guān)原理。以30W低壓汞燈為輻射光源,通過(guò)石英掩膜對(duì)PC表面局部選擇性區(qū)域進(jìn)行光化學(xué)改性,光照區(qū)域會(huì)生成羧基,這些羧基可以直接吸附銀氨溶液中的Ag+,經(jīng)過(guò)化學(xué)鍍液中的還原劑的還原作用,Ag+被還原成Ag,形成區(qū)域選擇性化學(xué)鍍催化所需要的中心。這樣在A(yíng)g的催化作用下,就可在PC表面選擇性地鍍上金微電極等。采用表面紅外光譜、X—光
3、電子能譜、原子力顯微鏡、循環(huán)伏安等多種技術(shù)對(duì)PC表面所經(jīng)歷化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行表征,研究討論了在PC表面光照區(qū)域形成催化中心的機(jī)理。采用本法制備的金膜微電極,具有與會(huì)盤(pán)電極相似的電化學(xué)性質(zhì),應(yīng)用于安培法檢測(cè)過(guò)氧化氫時(shí),靈敏度較經(jīng)典金圓盤(pán)電極明顯增高。
本論文的主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn):
研究建立一種以紫外選擇性光化學(xué)反應(yīng)為基礎(chǔ),無(wú)須氨化步驟即可形成化Ag納米催化中心,快速而又低成本的在PC表面通過(guò)區(qū)域選擇性化學(xué)鍍制備金屬微器件的方
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