版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、CdZnTe(CZT)是制作室溫γ射線及X射線探測器的優(yōu)良材料,CZT核輻射探測器具有較高的探測效率和較好的能量分辨率。在CdZnTe探測器的制備過程中,晶體的表面處理和鈍化是影響其性能的重要因素。為此本論文針對CZT核輻射探測器制備關鍵工藝一表面處理和鈍化工藝進行了研究。 CZT晶體具有脆性,容易在外力作用下產生裂紋,以至破碎。因此,在CZT晶體的切割過程中,應控制進刀速度以及冷卻水的溫度,避免因速度太快而造成“裂紋層”。經過
2、反復試驗研究,選擇1mm/min切割速度,厚度為2.5 mm,切得的晶片適合探測器制備。 機械研磨CZT晶片,在壓力一定的情況下,研磨速度至關重要,速度太慢,影響研磨效率;速度太快,會導致CZT晶片破碎、發(fā)熱,并使機械運動的平穩(wěn)性變差,磨出的CZT晶片的表面平整性較差,甚至導致晶片破損。經過實驗研究發(fā)現,對CZT晶片采用研磨速度為40轉/分較合適。 經過機械拋光后的CZT晶片,肉眼看上起很平整、光亮,但在顯微鏡下觀看其表
3、面仍有許多劃痕和不潔的斑點。采用溴甲醇(BM)和乳酸乙二醇溶液(LB)對CZT晶體進行表面化學拋光,。BMLB化學拋光液可以有效去除樣品表面機械拋光所引入的劃痕,使得表面變的光亮平整。XPS能譜分析表明,CZT晶片經過機械拋光后,其表面為富鎘原子層;經過化學拋光后,其表面層為富碲原子層,因此不論是機械拋光或是化學拋光都會破壞晶體表面的化學配比。 采用Nakagawa.Watson、Everson、E<,Ag>-I和HHKA腐蝕液
4、對CZT晶片進行化學腐蝕。通過金相顯微鏡對CZT表面蝕坑形貌觀察發(fā)現,HHKA腐蝕液對CZI、晶片(Ⅲ)面腐蝕30s,能得到最佳蝕坑形貌圖。 采用KOH-KCI溶液、H<,2>O<,2>溶液、NH<,4>F/H<,2>O<,2>混合溶液和KOH-KCl溶液+NH<,4>F/H<,2>O<,2>溶液等四種濕法化學鈍化工藝,對CZT器件表面鈍化工藝進行研究,探索各種鈍化方法的最佳工藝條件,結果發(fā)現:KOH-KCI溶液鈍化可以有效溶解
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- CdZnTe晶體的加工與表面質量控制.pdf
- 28273.cdznte晶體的缺陷研究及退火處理
- 晶體硅太陽電池表面鈍化研究.pdf
- CdSe探測器晶片表面處理和鈍化研究.pdf
- 摻In CdZnTe晶體生長研究.pdf
- 晶體硅太陽電池表面鈍化技術的研究.pdf
- 太陽電池用晶體硅的表面鈍化研究.pdf
- 晶體硅太陽電池用硅片表面鈍化的研究.pdf
- CdZnTe晶片表面化學處理及歐姆接觸特性的研究.pdf
- SiC表面S鈍化的工藝探索和研究.pdf
- 黃銅表面鈍化處理與耐環(huán)境腐蝕研究.pdf
- CdZnTe單晶表面、界面及位錯的研究.pdf
- 探測器用CdZnTe晶體載流子輸運過程的研究.pdf
- 晶體硅太陽電池表面減反結構和高K介電薄膜鈍化研究.pdf
- 探測器級CdZnTe:In晶體生長研究.pdf
- CdZnTe核探測器材料的熱處理研究.pdf
- 利用DLTS技術研究黑硅的鈍化和表面態(tài).pdf
- 用Franz-Keldysh效應研究GaAs氧化表面及表面硫化學鈍化處理新探.pdf
- 焦炭的鈍化處理研究.pdf
- 原子層沉積Al2O3鈍化太陽能晶體硅表面的研究.pdf
評論
0/150
提交評論