系列卟啉衍生物的合成及其自組裝修飾電極的制備、表征和應(yīng)用研究.pdf

1、西北師范大學(xué)碩士學(xué)位論文系列卟啉衍生物的合成及其自組裝修飾電極的制備、表征和應(yīng)用研究姓名：原慧卿申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：分析化學(xué)指導(dǎo)教師：盧小泉2008-06西北師范大學(xué)碩士學(xué)位論文 研究生：原慧卿 專業(yè)：分析化學(xué) 導(dǎo) 師：盧小泉 教授 研究方向：電分析化學(xué) 2的

2、平均間距約為 40-70 µm。通過比較得出長鏈卟啉自組裝修飾電極有更大的表面覆蓋度，SAM 對(duì)電子的轉(zhuǎn)移有更強(qiáng)的阻礙作用。實(shí)驗(yàn)同時(shí)也證明了大的針孔存在的原因是大量“微針孔”的集中體現(xiàn)。 第四章 第四章 基于金納米組裝的鈷卟啉修飾電極對(duì)分子氧的電催化性能 基于金納米組裝的鈷卟啉修飾電極對(duì)分子氧的電催化性能 通過自組裝技術(shù)將金納米鍵合到金電極表面，并修飾了巰基尾式鈷(II)卟啉(5-[4-(12-巰基十二烷氧基)-苯基]-10

3、 ,15 ,20-三苯基鈷(II)卟啉， TDPPCo(II)) 單層膜， 制備了具有三維結(jié)構(gòu)的卟啉修飾電極 (GNPs-TDPPCo(II)/SAMs)， 并考察了納米介入后修飾電極的電化學(xué)特征及其在中性條件下對(duì)分子氧的電催化性能。結(jié)果表明，金納米的介入能有效提高鈷卟啉修飾電極對(duì)分子氧的催化效果，分子氧在納米介入后的卟啉修飾電極上的還原峰在 -173 mV 出現(xiàn)， 與多晶裸金電極相比正移了約 160 mV， 且有更強(qiáng)的峰電流。納米修飾