傾斜濺射的[FeCoB-ZnO]N多層膜軟磁性和高頻性能的研究.pdf

1、隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電磁設(shè)備逐漸集成化、微型化以及高頻化。此外，電磁設(shè)備行業(yè)的發(fā)展也帶來(lái)更為嚴(yán)重的電磁干擾，威脅著我們?nèi)祟惖纳眢w健康。為了滿足不同的應(yīng)用需求我們利用磁控濺射儀分別制備了傾斜濺射的FeCoB-ZnO顆粒膜、[FeCoB(xnm)/ZnO(5nm)]N、[FeCoB(3nm)/ZnO(tnm)]40、[FeCoB(xnm)/ZnO(8nm)]n多層膜。分別研究?jī)A斜角度、ZnO間隔層對(duì)樣品的影響。研究結(jié)果表明：
　　

2、首先，傾斜濺射可以在薄膜表面有效地誘導(dǎo)面內(nèi)單軸各向異性場(chǎng)，并且隨著傾斜角度θ的增大（0°～56°），F(xiàn)eCoB-ZnO顆粒膜的各向異性場(chǎng)Hk可以被有效協(xié)調(diào)到212 Oe。與此同時(shí)，鐵磁共振頻率fFMR增大到5.3GHz，而阻尼因子?保持在很小值以及頻率線寬?f超出1GHz卻幾乎保持不變。顯然，這種情況下不僅滿足高頻應(yīng)用，還在抗電磁干擾和吸波材料領(lǐng)域頗占優(yōu)勢(shì)。
　　其次，引入ZnO充當(dāng)間隔層所制備的FeCoB/ZnO多層膜的性能優(yōu)于

3、FeCoB單層膜，并且隨著間隔層個(gè)數(shù)N的增大這種優(yōu)越性越明顯（Hc從69 Oe減小到7.5 Oe、Hk從181 Oe增大到280 Oe、fFMR也被協(xié)調(diào)到3GHz）。此外，通過(guò)改變間隔層的厚度t來(lái)探究薄膜性能對(duì)間隔層厚度的依賴關(guān)系。發(fā)現(xiàn)隨著間隔層厚度t的增大，薄膜的Hc被協(xié)調(diào)到5.6 Oe而Hk卻是先減小后增大，與常見(jiàn)多層膜性能對(duì)間隔層厚度的依賴關(guān)系有所不同，這被解釋為：ZnO是寬禁帶半導(dǎo)體，容易引起鐵磁交換耦合作用。相反，鐵磁共振頻率