碳化硅MOSFET電容及寬溫度范圍內的靜態(tài)參數測試.pdf

1、功率SiC MOSFET器件具有高擊穿場強、高耐受溫度、低損耗、高頻率等優(yōu)點，已經成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。隨著其應用范圍不斷擴展，SiC MOSFET靜態(tài)特性參數和電容參數導致串并聯(lián)器件均壓均流不平衡的問題也越發(fā)受到重視，SiC MOSFET驅動電路設計以及一次回路的頻率分析也與這些參數息息相關。因此在不同溫度范圍內測量器件的靜態(tài)參數和電容參數愈顯重要。
　　本文針對于Cree公司生產的型號為C2M0080120D的

2、N溝道增強型SiCMOSFET器件，分析闡述SiC MOSFET器件的工作原理和物理機制，總結場效應管靜態(tài)參數和電容參數測試的相關標準并提煉出針對性的測試方法，利用Agilent B1505A以及高低溫試驗箱搭建了實驗平臺，對Cree生產的SiC MOSFET的電容參數以及寬溫度范圍內的靜態(tài)特性參數展開測試，并對可能產生的誤差進行修正以確保測試結果的準確性。分析對比不同溫度下，SiC器件靜態(tài)特性參數的變化規(guī)律及其性能的改變，并從物理機制