銀及硫化鎘納米膜的電沉積方法制備和光學性能研究.pdf

1、 銀及硫化鎘納米膜具有優(yōu)異的物理、化學及光電化學性能，在催化、傳感器及光學領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，但是諸多制備銀及硫化鎘納米膜的方法都存在成本高或重現(xiàn)性差等問題。本文采用電沉積方法，在表面活性劑/電解液界面制備銀及硫化鎘納米膜。研究了表面活性劑、溫度、槽壓、電解液濃度及pH值對納米膜晶粒粒徑及表面形貌的影響，并對制備的納米膜的性能進行了研究，結(jié)合實驗結(jié)果，對納米膜的沉積行為進行了探討。采用電沉積方法，分別在硝酸銀和甲磺酸銀體系中制備

2、了銀納米膜。采用電沉積方法，在氯化鎘與硫代乙酰胺組成的電解液體系制備硫化鎘納米膜?？疾炝吮砻婊钚詣w系對電沉積制備硫化鎘納米膜影響，發(fā)現(xiàn)不同的蓖麻油類混合表面活性劑作為模板電沉積得到的納米薄膜的晶粒粒徑是不同的，當混合表面活性劑鋪展成收縮膜時，納米膜的晶粒較小；混合表面活性劑鋪展成擴展膜時，納米膜的晶粒較大。納米膜的粒徑隨表面活性劑的種類和用量而變化?！　】疾炝算y及硫化鎘納米膜的光學性能。用橢圓偏振儀測試了銀及硫化鎘納米膜的厚度及不同

3、波長下的復(fù)折射率、復(fù)介電常數(shù)。銀納米膜的紫外-可見吸收光譜峰發(fā)生明顯的“藍移”現(xiàn)象。優(yōu)化工藝條件下制備的硫化鎘納米膜在可見光區(qū)的光透過率在80﹪以上，帶隙能為2.48eV。硫化鎘納米膜電極在光照下能產(chǎn)生明顯的陽極光電流。用Z-掃描方法測試優(yōu)化工藝條件下制備的銀納米膜及硫化鎘納米膜的非線性折射性質(zhì)，計算得出銀納米膜的非線性折射系數(shù)n2值為4.90×10-11cm2/kW；硫化鎘納米膜的非線性折射系數(shù)n2值為5.06×10-6cm2/kW。