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1、陰極是真空微電子器件的核心部件之一。向小型化發(fā)展真空微電子器件對(duì)陰極提出越來越高的要求,例如微型化、響應(yīng)快、長(zhǎng)壽命等等。對(duì)陰極發(fā)展的新要求促使了場(chǎng)發(fā)射冷陰極的快速發(fā)展。研制新型的冷陰極材料,改善冷陰極的結(jié)構(gòu)形態(tài)是冷陰極的研究重點(diǎn)。本文在多級(jí)場(chǎng)增強(qiáng)機(jī)理制備的指導(dǎo)下,研究了碳納米復(fù)合材料的場(chǎng)發(fā)射冷陰極。
提出二級(jí)場(chǎng)增強(qiáng)結(jié)構(gòu)模型。制備出碳納米管/聚氨酯泡沫場(chǎng)發(fā)射冷陰極,場(chǎng)增強(qiáng)因子高達(dá)2.5×104,同時(shí)其閾值電場(chǎng)達(dá)到1.4V/μ
2、m。碳納米管/聚氨酯泡沫易于實(shí)現(xiàn)場(chǎng)發(fā)射冷陰極的大面積制備,聚氨酯基體對(duì)CNT提供保護(hù),并且工藝簡(jiǎn)單,制備成本低廉,電流密度達(dá)到場(chǎng)致發(fā)射顯示器應(yīng)用的要求。
制備石墨烯復(fù)合材料的場(chǎng)發(fā)射冷陰極,實(shí)現(xiàn)石墨烯在復(fù)合材料中的準(zhǔn)二維結(jié)構(gòu)分布。復(fù)合材料制備需要大量的石墨烯,于是我們利用插層氧化技術(shù),實(shí)現(xiàn)了氧化石墨烯的大量制備。在獲得大量氧化石墨烯的基礎(chǔ)上,利用微波加熱使氧化石墨烯使其熱膨脹,實(shí)現(xiàn)石墨烯粉體的大量制備。制備出石墨烯/超高分子
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