2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、水熱法沉積PZT薄膜具有反應(yīng)溫度低，薄膜純度高、厚度大，不需要后處理等一系列優(yōu)點(diǎn)。本論文采用水熱合成法制備了Ni/PZT磁電復(fù)合薄膜，研究了工藝條件對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。結(jié)果表明，緩沖層成份對(duì)薄膜的生長(zhǎng)具有重要影響，Ti/TiO2中的TiO2層與溶液中的晶種反應(yīng)，在Ni基片表面形成晶核點(diǎn)，從而改善薄膜和襯底的結(jié)合性。水熱生長(zhǎng)的PZT薄膜具有良好的鐵電性能和介電絕緣性能。水熱溫度對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、鐵電和磁電性能有著重要影響。隨著水熱反應(yīng)溫度

2、的升高，薄膜的晶粒大小逐漸減小，剩余電極化強(qiáng)度減小，矯頑力增加。當(dāng)反應(yīng)溫度從433K增加到463K時(shí)，薄膜的矯頑力從8.0kV/cm增加到13.5kV/cm，剩余電極化強(qiáng)度從26.7μC/cm2減小到16.9μC/cm2。隨著水熱溫度的增加，薄膜的磁電電壓系數(shù)減小。另外，隨著頻率的增加薄膜的磁電電壓系數(shù)近線性增加，磁電電壓系數(shù)不隨偏置磁場(chǎng)的變化發(fā)生改變。
　　 本論文還研究了緩沖層厚度對(duì)薄膜磁電性能的影響。Ni和PZT層之間的機(jī)

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