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文檔簡介
1、使用硅漂移探測器測量低能端X射線能譜時(shí)，首先要對(duì)探測器進(jìn)行效率刻度。
本文分別采用相對(duì)效率刻度法和理論模型計(jì)算法對(duì)SDD探測器低能區(qū)進(jìn)行效率刻度。相對(duì)效率刻度法為，通過測量19keV電子束轟擊純厚碳靶得到實(shí)驗(yàn)韌致輻射譜，以及MonteCarlo程序PENELOPE模擬同樣實(shí)驗(yàn)條件下得到理論韌致輻射譜，二者的比值即獲得相對(duì)效率曲線，最后由241Am和57Co標(biāo)準(zhǔn)源將相對(duì)效率曲線絕對(duì)化，在此方法中，考慮了標(biāo)準(zhǔn)源的自吸收校正，理論韌
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