MTM型反熔絲PROM讀出系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、存儲(chǔ)器是在信息技術(shù)中一種能存儲(chǔ)大量二值數(shù)據(jù)和程序信息的半導(dǎo)體器件，也是目前在半導(dǎo)體技術(shù)革新中最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝的器件。其中，反熔絲PROM存儲(chǔ)器憑借其編程元件反熔絲極高的可靠性、優(yōu)良的抗干擾能力等屬性以及優(yōu)異的電學(xué)特性，反熔絲PROM存儲(chǔ)器已在軍事、國防和航空航天等重要領(lǐng)域具有十分廣泛的運(yùn)用。
　　本研究主要目的是設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)MTM型反熔絲PROM讀出系統(tǒng)。首先，對(duì)MTM型反熔絲作了深入的研究，MTM型反

2、熔絲相較于ONO型反熔絲和柵氧化層型反熔絲具有更低的且分布更為集中的導(dǎo)通電阻，并從理論模型和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)兩個(gè)方面推論證實(shí)了MTM型反熔絲優(yōu)異的電學(xué)特性。隨后，深入探討并研究了PROM讀出系統(tǒng)的各個(gè)功能模塊的功能實(shí)現(xiàn)與時(shí)序分析，主要功能模塊如下：地址輸入檢測模塊，脈沖寬度擴(kuò)展模塊，靈敏放大器模塊以及控制信號(hào)生成模塊， MTM型反熔絲存儲(chǔ)單元和數(shù)據(jù)鎖存模塊。在全面了解PROM讀出系統(tǒng)工作原理的基礎(chǔ)上，確定了PROM讀出系統(tǒng)關(guān)鍵性能指標(biāo)之一-

3、---讀取時(shí)間的主要組成部分，分別是地址輸入檢測模塊輸出的窄脈沖的脈寬，預(yù)充電時(shí)間和存儲(chǔ)單元放電時(shí)間三大部分。然后，分析了反熔絲導(dǎo)通電阻對(duì)讀出系統(tǒng)性能的影響，認(rèn)為偏離平均值太大的反熔絲導(dǎo)通電阻將增加PROM讀出系統(tǒng)的讀取時(shí)間和最大電阻閾值，因此要求設(shè)計(jì)時(shí)在兩者間達(dá)到折中。最后，對(duì)PROM讀出系統(tǒng)的讀取時(shí)序進(jìn)行了分析，并且對(duì)讀出系統(tǒng)讀取時(shí)位線上負(fù)載進(jìn)行了深入研究，認(rèn)為位線上未被選中的存儲(chǔ)單元狀態(tài)全部為已編程時(shí)是位線負(fù)載最糟糕的情況，并在此