版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、本文采用改進Hummers法制備氧化石墨,經(jīng)超聲剝離得到氧化石墨烯(GO);采用旋涂法并通過控制GO水相分散液濃度制備不同厚度GO薄膜;采用熱還原法制備不同還原程度的還原氧化石墨烯(rGO)薄膜;采用一步水熱復(fù)合法制備得到石墨烯-聚苯胺(rGO-PANI)復(fù)合材料。利用XRD、FT-IR、Raman、AFM、SEM、TG-DTA和氣敏測試系統(tǒng)等對GO、rGO和rGO-PANI的結(jié)構(gòu)、形貌及氣敏性能進行表征分析,重點探究GO薄膜厚度、熱還
2、原程度及石墨烯與聚苯胺復(fù)合質(zhì)量比對氣敏性能的影響,并進一步揭示石墨烯及其復(fù)合材料的氣敏響應(yīng)機理。
研究結(jié)果表明,GO在成膜過程中工藝條件對元件的氣敏性能有很大影響。采用旋涂法,隨GO水相分散液濃度由1mg/mL增加到5mg/mL,薄膜的厚度依次為18、35、65、102和139nm。隨著薄膜厚度增大,元件的靈敏度增大,電阻變化的線性關(guān)系變差,而響應(yīng)-恢復(fù)時間延長。當(dāng)薄膜厚度為18nm時濕敏元件的響應(yīng)時間2s,恢復(fù)時間8s,靈敏
3、度可達72.59%。
隨著還原溫度的升高,GO樣品含氧官能團逐漸熱解消失,所形成的結(jié)構(gòu)向較為有序的類石墨結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變;無序程度(ID/IG值)先由0.85增大至1.59后再減小至1.41,總體呈現(xiàn)增加趨勢;當(dāng)還原溫度≤150℃樣品仍表現(xiàn)GO的性質(zhì),當(dāng)還原溫度≥250℃時則表現(xiàn)出rGO的性質(zhì);還原溫度為150、200和350℃時樣品分別表現(xiàn)出p型、雙極型和n型半導(dǎo)體性質(zhì)。在室溫下,GO及低還原程度的rGO氣敏元件對H2表現(xiàn)出較高的響
4、應(yīng)和靈敏度,靈敏度88.56%,響應(yīng)時間30s。
rGO-PANI復(fù)合材料比單純的rGO、PANI的氣敏性能更加優(yōu)異,在400ppm濃度的NH3環(huán)境下,rGO、PANI和rGO-PANI-1的靈敏度依次為13.92、41.49和50.26%。響應(yīng)時間依次為422、296和156s,恢復(fù)時間依次為485、304和214s;隨著復(fù)合材料中PANI質(zhì)量的增加,靈敏度呈現(xiàn)減小趨勢,在400ppm濃度的NH3環(huán)境下,復(fù)合材料中rGO與P
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 石墨烯及其場效應(yīng)晶體管
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及其性能研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管電流模型的研究.pdf
- N摻雜石墨烯及其場效應(yīng)晶體管研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管
- 石墨烯薄膜制備、場效應(yīng)晶體管構(gòu)建及其性能研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管設(shè)計加工及特性研究.pdf
- 基于化學(xué)氣相沉積的石墨烯場效應(yīng)晶體管研究.pdf
- CVD石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究.pdf
- 氧化石墨烯基場效應(yīng)晶體管特性研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管微波建模技術(shù)研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管90069
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管太赫茲光電特性研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管90476
- 石墨烯溝道鐵電場效應(yīng)晶體管電學(xué)性能的模擬.pdf
- 功率場效應(yīng)晶體管mosfet
- 功率場效應(yīng)晶體管原理
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備與摻雜方法研究.pdf
- 隧穿場效應(yīng)晶體管和InGaAs場效應(yīng)晶體管的可靠性研究.pdf
評論
0/150
提交評論