二維原子半導(dǎo)體的制備及其異質(zhì)器件研究.pdf

1、近年來，二維原子材料一直備受關(guān)注，尤其是石墨烯，它優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，吸引了無數(shù)科學(xué)家對其在光電子器件應(yīng)用上進(jìn)行研究，但是石墨烯零禁帶的缺點卻嚴(yán)重制約了它在這方面的應(yīng)用。為了解決這個問題，許多學(xué)者不斷研究其它優(yōu)異二維原子材料的制備方法及其應(yīng)用，同時開始探索有效打開石墨烯帶隙的方法?；诖?，本文主要提出了兩種性能出眾的二維原子材料----碳化硅和二硫化鉬的制備方法，指出了它們在光電探測器等光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用前景，探索了利用硅摻雜的方式來

2、打開石墨烯帶隙的方法。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴研究了利用硅片和甲烷在高溫下反應(yīng)宏量制備二維超薄碳化硅的方法，得到的二維碳化硅產(chǎn)物尺寸為2μm左右，厚度達(dá)到2-3nm，為合成二維碳化硅材料提供了一個新思路。⑵利用液態(tài)硅源實現(xiàn)了對石墨烯的有效硅摻雜，提出了一種硅摻雜石墨烯的新方法，同時，在反應(yīng)過程中，由于液態(tài)硅源與石墨烯能夠充分接觸混合，使得合成大面積硅摻雜石墨烯的反應(yīng)更加充足。在利用化學(xué)氣相沉積法制備硅摻雜石墨烯的過程中，通過改