單電子隧穿耦合量子點(diǎn)的輸運(yùn)和光學(xué)性質(zhì).pdf

1、本文是在已經(jīng)研究了單電子晶體管的隧穿特性的基礎(chǔ)上，我們?cè)趩坞娮泳w管系統(tǒng)中，加入另外一個(gè)量子點(diǎn)，原來(lái)的主量子點(diǎn)和第二個(gè)量子點(diǎn)通過(guò)兩個(gè)量子點(diǎn)中電子和空穴的Hubbard-like相互作用耦合到一起。利用格林函數(shù)的計(jì)算方法，分析此種耦合量子點(diǎn)系統(tǒng)的特性。
　　本文安排如下:
　　第一章，概述半導(dǎo)體量子點(diǎn)的一些基本知識(shí)，首先是簡(jiǎn)單介紹了量子點(diǎn)的概念，較為詳細(xì)的介紹了量子點(diǎn)的一些獨(dú)特的量子效應(yīng)，接著闡述了一下耦合量子點(diǎn)系統(tǒng)，最后是量

2、子點(diǎn)系統(tǒng)在實(shí)際中的應(yīng)用及重要性。
　　第二章，我們?cè)趩坞娮泳w管中引入另外一個(gè)P型量子點(diǎn)，叫做第二量子點(diǎn)，兩個(gè)量子點(diǎn)耦合在一起。利用延遲格林函數(shù)法，得出了隧穿電流變化特性，并分析了第二量子點(diǎn)中空穴占據(jù)數(shù)不同對(duì)隧穿過(guò)程共振機(jī)制分布的影響。
　　第三章，在此章中，我們利用Keldysh非平衡格林函數(shù)法，主要計(jì)算并分析耦合量子點(diǎn)系統(tǒng)的光致發(fā)光譜，以及第二量子點(diǎn)中電子占據(jù)數(shù)的變化對(duì)其的影響。
　　第四章，對(duì)本文的總結(jié)和展望。<